2SB1143T(2012) View Datasheet(PDF) - SANYO -> Panasonic

Part Name

Description

Manufacturer

2SB1143T
(Rev.:2012)

PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor

SANYO -> Panasonic 

2SB1143/2SD1683

Electrical Characteristics at Ta=25°C

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Gain-Bandwidth Product

Output Capacitance

Collector-to-Emitter Saturation Voltage

Base-to-Emitter Saturation Voltage

Collector-to-Base Breakdown Voltage

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-to-Base Breakdown Voltage

Turn-On Time

Storage Time

Fall Time

Symbol

Conditions

ICBO

IEBO

hFE1

hFE2

fT

Cob

VCE(sat)

VBE(sat)

V(BR)CBO

V(BR)CEO

V(BR)EBO

ton

tstg

tf

VCB=(--)40V, IE=0A

VEB=(--)4V, IC=0A

VCE=(--)2V, IC=(--)100mA

VCE=(--)2V, IC=(--)3A

VCE=(--)10V, IC=(--)50mA

VCB=(--)10V, f=1MHz

IC=(--)2A, IB=(--)100mA

IC=(--)2A, IB=(--)100mA

IC=(--)10μA, IE=0A

IC=(--)1mA, RBE=∞

IE=(--)10μA, IC=0A

See specified Test Circuit.

* : The 2SB1143/2SD1683 are classified by 100mA hFE as follows :

Rank

R

S

T

hFE

100 to 200

140 to 280

200 to 400

U

280 to 560

Switching Time Test Circuit

IB1

PW=20μs

D.C.≤1%

IB2

OUTPUT

INPUT

VR

50Ω

RB

+

100μF

RL

25Ω

+

470μF

VBE= --5V

VCC=25V

IC=10IB1= --10IB2=1A

(For PNP, the polarity is reversed.)

Ordering Information

2SB1143S

2SB1143T

2SD1683S

2SD1683T

Device

Package

TO-126ML

TO-126ML

TO-126ML

TO-126ML

Shipping

200pcs./bag

200pcs./bag

200pcs./bag

200pcs./bag

min

100*

40

(--)60

(--)50

(--)6

Ratings

typ

150

(39)25

(--350)190

(--)0.94

(70)70

(450)650

(30)35

max

(--)1

(--)1

560*

(--700)500

(--)1.2

Unit

μA

μA

MHz

pF

mV

V

V

V

V

ns

ns

ns

memo

Pb Free

No.2063-2/7

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