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Part Name
Description
3DD2498 View Datasheet(PDF) - Unspecified
Part Name
Description
Manufacturer
3DD2498
Low frequency amplification case rated bipolar transistor
Unspecified
3DD2498 Datasheet PDF : 2 Pages
1
2
华晶分立器件
3DD2498
低频放大管壳额定双极型晶体管
1.
概述与特点
3DD2498
硅
NPN
型高反压大功率晶体管
,
主要用作
21
英寸彩电开关电源,该产品采用台面结
构工艺。其特点如下:
●
击穿电压高、漏电流小
●
开关速度快
●
饱和压降低
●
电流特性好
●
封装形式:
TO-3P(H)IS
2.
电特性
2.1
极限值
除非另有规定,
T
amb
= 25
℃
参数名称
符号
集电极
-
发射极电压
集电极
-
基 极电压
发射极
-
基 极电压
集电极电流
耗散功率
Ta=25
℃
Tc=25
℃
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
P
tot
结温
T
j
贮存温度
T
stg
额定值
600
1500
5
6
3
50
150
-55
~
150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
2.2
电参数
除非另有规定,
T
amb
= 25
℃
参数名称
符号
测试条件
集电极
-
基极截止电流
发射极
-
基极截止电流
共发射极正向电流传输比
的静态值
集电极
-
发射极饱和电压
基 极
-
发射极饱和电压
下降时间
I
CB0
I
EB0
h
FEa
V
CEsata
V
BEsata
t
f
特征频率
f
T
a
: 脉冲测试
tp
≤
300
μ
s,
δ≤
2%
V
CB
=1500V, I
E
=0
V
EB
=5V, I
C
=0
V
CE
=5V, I
C
=1A
I
C
=4A, I
B
=
B
0.8A
I
C
=4A, I
B
=
B
0.8A
V
CC
=105V, I
C
=4A
2I
B1
=-I
B2
=0.8A
V
CE
=10V, I
C
=0.1A
f=0.3MHz
规范值
单位
最小 典型 最大
1
mA
10
μ
A
8
40
5
V
1.2
V
1
μ
s
1
MHz
无锡华润华晶微电子有限公司
地址:江苏省无锡市梁溪路
14
号 电话:
0510-85807228-3399
传真:
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邮编:
214061
网址:
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电邮:
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第
1
页共
2
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