Electronic component search and free download site.
Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
Part Name
Description
B1018A View Datasheet(PDF) - Toshiba
Part Name
Description
Manufacturer
B1018A
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT Process)
Toshiba
B1018A Datasheet PDF : 5 Pages
1
2
3
4
5
−
10
−
180
−
8
−
200
−
160
−
6
−
4
−
2
I
C
– V
CE
Common emitter
Tc = 25°C
−
140
−
120
−
100
−
80
−
60
−
40
IB =
−
20 mA
0
0
0
−
2
−
4
−
6
−
8
−
10
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
I
C
– V
CE
−
1.2
Common emitter
−
1.0
Tc = 100°C
−
0.8
IB =
−
20 mA
−
40
−
100
−
200
−
0.6
−
0.4
−
0.2
−
700
−
300
−
400
−
500
−
600
0
0
−
1
−
2
−
3
−
4
−
5
−
6
−
7
Collector current I
C
(A)
2SB1018A
V
CE
– I
C
−
1.2
Common emitter
−
1.0
Tc = 25°C
IB =
−
20 mA
−
0.8
−
40
−
100
−
0.6
−
200
−
0.4
−
0.2
−
700
−
300
−
400
−
500
−
600
0
0
−
1
−
2
−
3
−
4
−
5
−
6
−
7
Collector current I
C
(A)
V
CE
– I
C
−
1.2
Common emitter
Tc =
−
55°C
−
1.0
−
0.8
IB =
−
20 mA
−
0.6
−
100
−
150
−
300
−
0.4
−
200
−
400
−
0.2
−
700
−
500
−
600
0
0
−
1
−
2
−
3
−
4
−
5
−
6
−
7
Collector current I
C
(A)
1000
500
300
100
50
30
h
FE
– I
C
Tc = 100°C
25
Common emitter
VCE =
−
1 V
−
55
10
−
0.03
−
0.1
−
0.3
−
1
−
3
−
10
Collector current I
C
(A)
V
CE (sat)
– I
C
−
1
Common emitter
−
0.5
IC/IB = 10
−
0.3
−
0.1
−
0.05
−
0.03
Tc = 100°C
25
−
55
−
0.01
−
0.03
−
0.1
−
0.3
−
1
−
3
−
10
Collector current I
C
(A)
3
2006-11-21
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]