HA42 View Datasheet(PDF) - Unspecified
Part Name
Description
Manufacturer
HA42 Datasheet PDF : 1 Pages
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汕头华汕电子器件有限公司
A1
NPN SILICON
HA42
TRANSISTOR
对应国外型号
MPSA42
█ 主要用途
高压控制应用。（与 HA92 互补）
█ 极限值（Ta=25℃）
Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃
Tj——结温……………………………………………150℃
PC——集电极耗散功率……………………………625mW
VCBO——集电极—基极电压………………………………300V
VCEO——集电极—发射极电压……………………………300V
VEBO——发射极—基极电压………………………………6V
IC——集电极电流………………………………………500mA
█ 外形图及引脚排列
TO-92
1―发射极，E
2―基 极，B
3―集电极，C
█ 电参数（Ta=25℃）
参数符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
ICES
HFE
符号说明
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
集电极—发射极截止电流
直流电流增益
VCE(sat1)
VCE(sat2)
VBE(sat)
fT
集电极—发射极饱和电压
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极饱和电压
特征频率
最小值
300
300
6
25
40
40
50
典型值
最大值
100
100
1
0.5
1.0
0.9
单位
测试条件
V
V
V
nA
nA
μA
V
V
V
MHz
IC=100μA，IE=0
IC=1mA，IB=0
IE=100μA，IC=0
VCB=200V, IE=0
VEB=6V, IC=0
VCE=300V, VBE=0
VCE=10V, IC=1mA
VCE=10V, IC=10mA
VCE=10V, IC=30mA
IC=20mA, IB=2mA
IC=60mA, IB=6mA
IC=20mA， IB=2mA
VCE=20V, IC=10mA ，
f=100MHz
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