Electronic component search and free download site.
Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
Part Name
Description
NLVVHC1GT125DT1G(2018) View Datasheet(PDF) - ON Semiconductor
Part Name
Description
Manufacturer
NLVVHC1GT125DT1G
(Rev.:2018)
Noninverting 3-State Buffer
ON Semiconductor
NLVVHC1GT125DT1G Datasheet PDF : 16 Pages
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Next
Last
MC74VHC1G125, MC74VHC1GT125
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (MC74VHC1G125)
Symbol
Parameter
Test
Conditions
V
CC
T
A
= 25
°
C
(V) Min Typ Max
V
IH
High
−
Level Input
Voltage
2.0 1.5
−
−
3.0 2.1
−
−
4.5 3.15
−
−
5.5 3.85
−
−
V
IL
Low
−
Level Input
Voltage
2.0
−
3.0
−
−
0.5
−
0.9
4.5
−
−
1.35
5.5
−
−
1.65
V
OH
High
−
Level Output V
IN
= V
IH
or V
IL
Voltage
I
OH
=
−
50
m
A
2.0 1.9 2.0
−
I
OH
=
−
50
m
A
3.0 2.9 3.0
−
I
OH
=
−
50
m
A
4.5 4.4 4.5
−
I
OH
=
−
4 mA
3.0 2.58
−
−
I
OH
=
−
8 mA
4.5 3.94
−
−
V
OL
Low
−
Level Output V
IN
= V
IH
or V
IL
Voltage
I
OL
= 50
m
A
2.0
I
OL
= 50
m
A
3.0
I
OL
= 50
m
A
4.5
I
OL
= 4 mA
3.0
I
OL
= 8 mA
4.5
−
0.0 0.1
−
0.0 0.1
−
0.0 0.1
−
−
0.36
−
−
0.36
I
IN
Input Leakage
Current
V
IN
= 5.5 V or
GND
1.65
−
to 5.5
−
±
0.1*
I
OZ
3
−
State Output
Leakage Current
V
OUT
= 0 V to
5.5 V
5.5
−
−
±
0.25
I
OFF
Power Off Leakage
Current
I
CC
Quiescent Supply
Current
*Guaranteed by design.
V
IN
= 5.5 V or
V
OUT
= 5.5 V
V
IN
= V
CC
or
GND
0
−
5.5
−
−
1.0
−
1.0
−
40
°
C
≤
T
A
≤
85
°
C
Min
Max
1.5
−
2.1
−
3.15
−
3.85
−
−
0.5
−
0.9
−
1.35
−
1.65
1.9
−
2.9
−
4.4
−
2.48
−
3.80
−
−
0.1
−
0.1
−
0.1
−
0.44
−
0.44
−
±
1.0
−
$
2.5
−
10
−
20
−
55
°
C
≤
T
A
≤
125
°
C
Min
Max
Unit
1.5
−
V
2.1
−
3.15
−
3.85
−
−
0.5
V
−
0.9
−
1.35
−
1.65
V
1.9
−
2.9
−
4.4
−
2.34
−
3.66
−
V
−
0.1
−
0.1
−
0.1
−
0.52
−
0.52
−
$
1.0
m
A
−
$
2.5
m
A
−
10
m
A
−
40
m
A
www.onsemi.com
5
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]