K4E660412D Ver la hoja de datos (PDF) - Samsung

Número de pieza

componentes Descripción

Fabricante

K4E660412D

16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

Samsung 

K4E660412D,K4E640412D

CMOS DRAM

PIN CONFIGURATION (Top Views)

• K4E660412D-J

• K4E640412D-J

VCC 1

DQ0 2

DQ1 3

N.C 4

N.C 5

N.C 6

N.C 7

W8

RAS 9

A0 10

A1 11

A2 12

A3 13

A4 14

A5 15

VCC 16

32 VSS

31 DQ3

30 DQ2

29 N.C

28 N.C

27 N.C

26 CAS

25 OE

24 A12(N.C)*

23 A11

22 A10

21 A9

20 A8

19 A7

18 A6

17 VSS

(J : 400mil SOJ)

• K4E660412D-T

• K4E640412D-T

VCC 1

DQ0 2

DQ1 3

N.C 4

N.C 5

N.C 6

N.C 7

W8

RAS 9

A0 10

A1 11

A2 12

A3 13

A4 14

A5 15

VCC 16

32 VSS

31 DQ3

30 DQ2

29 N.C

28 N.C

27 N.C

26 CAS

25 OE

24 A12(N.C)*

23 A11

22 A10

21 A9

20 A8

19 A7

18 A6

17 VSS

(T : 400mil TSOP(II))

* (N.C) : N.C for 4K Refresh product

Pin Name

A0 - A12

A0 - A11

DQ0 - 3

VSS

RAS

CAS

W

OE

VCC

N.C

Pin Function

Address Inputs(8K Product)

Address Inputs(4K Product)

Data In/Out

Ground

Row Address Strobe

Column Address Strobe

Read/Write Input

Data Output Enable

Power(+3.3V)

No Connection

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