Electronic component search and free download site.
Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
Número de pieza
componentes Descripción
2SA1213(2006) Ver la hoja de datos (PDF) - Toshiba
Número de pieza
componentes Descripción
Fabricante
2SA1213
(Rev.:2006)
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
Toshiba
2SA1213 Datasheet PDF : 5 Pages
1
2
3
4
5
V
CE
– I
C
−
1.6
Common emitter
Ta
=
25°C
−
1.2
IB
= −
5 mA
−
0.8
−
0.4
−
10
−
20
−
30
−
40
0
0
−
0.4
−
0.8
−
1.2
−
1.6
−
2.0
Collector current I
C
(A)
V
CE
– I
C
−
1.6
−
1.2
IB
= −
5 mA
−
10
−
20
−
0.8
Common emitter
Ta
= −
55°C
−
30
−
40
−
0.4
−
50
0
0
−
0.4
−
0.8
−
1.2
−
1.6
−
2.0
Collector current I
C
(A)
2SA1213
V
CE
– I
C
−
1.6
Common emitter
Ta
=
100°C
−
1.2
IB
= −
3 mA
−
5
−
0.8
−
0.4
−
10
−
20
−
30
−
40
−
50
0
0
−
0.4
−
0.8
−
1.2
−
1.6
−
2.0
Collector current I
C
(A)
1000
500
300
100
50
30
h
FE
– I
C
Ta
=
100°C
25
−
55
Common emitter
VCE
= −
2 V
10
−
10
−
30
−
100
−
300
−
1000
−
3000
Collector current I
C
(mA)
V
CE (sat)
– I
C
−
1
Common emitter
−
0.5
IC/IB
=
20
−
0.3
−
0.1
−
0.05
−
0.03
−
0.01
−
10
Ta
=
100°C
25
−
55
−
30
−
100
−
300
−
1000
Collector current I
C
(mA)
−
3000
V
BE (sat)
– I
C
−
10
Common emitter
−
5
IC/IB
=
20
−
3
Ta
= −
55°C
−
1
−
0.5
25
100
−
0.3
−
0.1
−
10
−
30
−
100
−
300
−
1000
Collector current I
C
(mA)
−
3000
3
2006-11-09
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]