R6012JNJ Ver la hoja de datos (PDF) - ROHM Semiconductor

Número de pieza

componentes Descripción

Fabricante

R6012JNJ

Nch 600V 12A Power MOSFET

ROHM Semiconductor 

R6012JNJ

　 　 　 　　 　

lThermal resistance

Parameter

Thermal resistance, junction - case

Thermal resistance, junction - ambient

Soldering temperature, wavesoldering for 10s

　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet

　

　 　　　　　　　　　　　　　　　　

Symbol

RthJC

RthJA

Tsold

Values

Unit

Min. Typ. Max.

-

- 0.78 ℃/W

-

- 80 ℃/W

-

- 265 ℃

lElectrical characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

Drain - Source breakdown

voltage

Zero gate voltage

drain current

Gate - Source leakage current

Gate threshold voltage

Static drain - source

on - state resistance

Gate resistance

V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 1mA

VDS = 600V, VGS = 0V

IDSS

Tj = 25°C

IGSS VGS = ±30V, VDS = 0V

VGS(th) VDS = VGS, ID = 2.5mA

RDS(on)*5 VGS = 15V, ID = 6.0A

Tj = 25°C

RG f = 1MHz, open drain

Values

Unit

Min. Typ. Max.

600 -

-

V

-

- 100 μA

-

- ±100 nA

5.0 6.0 7.0 V

- 0.300 0.390 Ω

- 2.2 - Ω

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　

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20190527 - Rev.002

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