3DD2103 データシートの表示（PDF） - Jilin Sino-Microelectronics
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
3DD2103 Datasheet PDF : 6 Pages
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R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项目
符号
Parameter
集电极—基极直流电压
Collector−Base Voltage
集电极—发射极直流电压
Collector−Emitter Voltage
发射极—基极直流电压
Emitter−Base Voltage
最大集电极电流
直流 DC
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
IC
Collector Current
脉冲 Pulse
最大基极直流电流
Base Current
最大集电极耗散功率
Collector Power Dissipation
最高结温
Max. Junction Temperature
储存温度
Storage Temperature Range
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
3DD2103
数值
Value
900
单位
Unit
V
600
V
7
V
6
A
12
3
A
50
W
150
℃
-55~+150
℃
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25℃)
项目
测试条件
最小值
Parameter
Tests conditions
Min
V(BR)CEO IC=10mA,IB=0
600
V(BR)CBO IC=1mA,IE=0
900
V(BR)EBO IE=1mA,IC=0
7
ICBO
VCB=800V, IE=0
IEBO
VEB=7V, IC=0
HFE
VCE = 5 V, IC = 1 A
15
VCE = 5 V, IC = 5 A
6
VCE(sat)
IC=2.5A, IB=0.5A
VBE(sat)
IC=2.5A, IB=0.5A
tf
IC=3A,2IB1=-IB2=1.2A
ts
fH=15.75kHz
ft
VCE=10V, IC=0.1A
4
最大值
Max
100
100
35
0.5
1.3
0.5
4
单位
Unit
V
V
V
µA
µA
V
V
µs
µs
MHz
版本：200911E
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