Electronic component search and free download site.
Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
部品番号
コンポーネント説明
SPD30N03 データシートの表示(PDF) - Infineon Technologies
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
SPD30N03
SIPMOS® Power Transistor
Infineon Technologies
SPD30N03 Datasheet PDF : 8 Pages
1
2
3
4
5
6
7
8
SPD 30N03
Avalanche Energy
E
AS
=
f
(
T
j
)
parameter:
I
D
= 30 A,
V
DD
= 25 V
R
GS
= 25
Ω
250
mJ
Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D puls
= 30 A
SPD30N03
16
V
12
150
10
8
0,2
V
DS max
0,8
V
DS max
100
6
4
50
2
0
20
40
60
80 100 120 140
˚C
180
T
j
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
f
(
T
j
)
0
0
10
20
30
40
nC
60
Q
Gate
SPD30N03
37
V
35
34
33
32
31
30
29
28
27
-60 -20
20
60 100 140
˚C
200
T
j
Data Sheet
8
05.99
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]