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部品番号
コンポーネント説明
2N7002L6327 データシートの表示(PDF) - Infineon Technologies
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
2N7002L6327
OptiMOS Small-Signal-Transistor
Infineon Technologies
2N7002L6327 Datasheet PDF : 9 Pages
1
2
3
4
5
6
7
8
9
13 Avalanche characteristics
I
AS
=f(t
AV
); R
GS
=25
Ω
parameter: T
j(start)
10
0
10
-1
100 °C
125 °C
25 °C
10
-2
10
-3
10
0
10
1
10
2
t
AV
[µs]
15 Drain-source breakdown voltage
V
BR(DSS)
=f(
T
j
);
I
D
=250 µA
14 Typ. gate charge
V
GS
=f(
Q
gate
);
I
D
=0.5 A pulsed
parameter:
V
DD
10
9
8
30 V
7
12 V
6
48 V
5
4
3
2
1
0
10
3
0
0.1
0.2
0.3
Q
gate
[nC]
2N7002
0.4
0.5
70
65
60
55
50
-40
0
40
80
120
160
T
j
[
°
C]
Rev. 2.4
page 7
2012-09-04
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datasheetq.com [
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