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部品番号
コンポーネント説明
BSP324H6327 データシートの表示(PDF) - Infineon Technologies
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
BSP324H6327
SIPMOS® Power-Transistor
Infineon Technologies
BSP324H6327 Datasheet PDF : 8 Pages
1
2
3
4
5
6
7
8
Rev. 1.0
BSP324
1 Power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
1.9
BSP324
W
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 20 40 60 80 100 120
°C
160
T
A
3 Safe operating area
I
D
=
f
(
V
DS
)
parameter :
D
= 0 ,
T
A
= 25 °C
10
1
BSP324
A
2 Drain current
I
D
=
f
(
T
A
)
parameter:
V
GS
≥
10 V
BSP324
0.18
A
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0 20 40 60 80 100 120
°C
160
T
A
4 Transient thermal impedance
Z
thJA
=
f
(
t
p
)
parameter :
D
=
t
p
/
T
10
2
BSP324
K/W
10
0
10
-1
/
I
D
=
V
DS
R
DS(on)
10
-2
10
-3
10
0
10
1
t
p
= 170.0µs
10
1
1 ms
10 ms
DC
10
0
10
-1
single pulse
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10
2
V
10
3
V
DS
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
s
t
p
10
4
Page 4
2003-02-21
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