インテリジェントパワーデバイス(IPD)
MIP2C10MP
シリコン MOS 形集積回路
■ 特 長
• 無負荷時の消費電力を大幅に削減(100 VAC入力時 : 20 mW,
従来品比 : 80% 削減)
• チャージャ回路に必要な保護機能内蔵
• 周辺部品点数を削減(当社従来比−12 点)
■ 用 途
• 充電器(携帯電話用ほか)
• AC アダプタ
■ 絶対最大定格
項目
ドレイン電圧
VCC 電圧
VDD 電圧
フィードバック電圧
CL 端子電圧
ドレイン電流
チャネル温度
保存温度
記号
VD
VCC
VDD
VFB
VCL
ID
Tch
Tstg
定格
700
45
8
8
8
350
150
−55 ∼ +150
単位
V
V
V
V
V
mA
°C
°C
9.4±0.3
87
5
1234
2.54±0.25
Unit : mm
0.5±0.1
1.2±0.25
(2,3,7PIN)
0.4±0.1
0.6±0.1
(1,4,5,8PIN)
1 : VDD
2 : FB
3 : CL
4 : VCC
5 : Drain
7 : Source
8 : Source
DIP8-A1(CF) Package
形名表示記号 : MIP2C1
■ 電気的特性 TC = 25°C ± 3°C
項目
記号
コントロール機能
出力周波数
fOSC
最大デューティサイクル
fOSC(L)
MAXDC
VDD 基準電圧
VDD
VDD 停止電圧
VCC 起動電圧
フィードバック電流
VUV
VCC(ON)
IFB1
フィードバック電流ヒステリシス
IFBHYS
条件
VCC = 15 V, VD = 5 V, FB: Open,
ICL = 50 µA
VCC = 15 V, VD = 5 V, FB: Open,
ICL < ICL1
VCC = 15 V, VD = 5 V, FB: Open,
ICL = 50 µA
VCC = 15 V, VD = 5 V, FB: Open,
ICL = 50 µA
VD = 5 V, FB: Open, ICL = 50 µA
VD = 5 V, FB: Open, ICL = 50 µA
On → Off
VCC = 15 V, VD = 5 V, ICL = 50 µA
VCC = 15 V, VD = 5 V, ICL = 50 µA
最小 標準 最大 単位
90 100 110 kHz
15 20 25 kHz
45.0 47.5 50.0 %
5.2 5.7 6.2
V
4.5 5.0 5.5
V
8.0 9.0 10.0
V
90 120 150 µA
2.0
µA
発行年月 : 2003年8月
SLB00049AJD
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