Electronic component search and free download site.
Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
부품명
상세내역
2SA1905 데이터 시트보기 (PDF) - Toshiba
부품명
상세내역
제조사
2SA1905
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
Toshiba
2SA1905 Datasheet PDF : 5 Pages
1
2
3
4
5
I
C
– V
CE
−
8
Common emitter
−
80
Ta = 25°C
−
6
−
70
−
60
−
50
−
4
−
40
−
30
−
2
−
20
IB =
−
10 mA
0
0
0
−
2
−
4
−
6
−
8
−
10
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
V
CE (sat)
– I
C
−
2
Common emitter
−
1
IC/IB = 20
−
0.5
−
0.3
−
0.1
−
0.05
Ta = 100°C
−
55
25
−
0.03
−
0.03
−
0.1
−
0.3
−
1
−
3
−
10
Collector current I
C
(A)
2SA1905
1000
500
300
100
50
h
FE
– I
C
Common emitter
VCE =
−
1 V
Ta = 100°C
25
−
55
20
−
0.03
−
0.1
−
0.3
−
1
−
3
−
10
Collector current I
C
(A)
V
BE (sat)
– I
C
−
10
Common emitter
−
5
IC/IB = 20
−
3
−
1
Ta =
−
55°C
−
0.5
100
25
−
0.3
−
0.1
−
0.03
−
0.1
−
0.3
−
1
−
3
−
10
Collector current I
C
(A)
I
C
– V
BE
−
5
Common emitter
VCE =
−
1 V
−
4
−
3
Ta = 100°C
−
2
−
1
25
−
55
0
0
−
0.4
−
0.8
−
1.2
−
1.6
−
2.0
−
2.4
Base-emitter voltage V
BE
(V)
3
2006-11-09
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]