インテリジェントパワーデバイス(IPD)
MIP289
シリコン MOS 形集積回路
I 特 長
• 高耐圧パワーMOSFET とCMOS 制御回路の集積化により,
大幅な使用部品点数の削減が実現
• 軽負荷時になるほど発振回数を少なくするといった新制御
方式により , 軽負荷時のスイッチングロスを大幅に削減し ,
低消費電力化を実現
• IPD内蔵制御回路部の消費電流を150 µAにまで低減し, IPD
自身の消費電力も極力削減
• 保護機能としてパルスバイパルス過電流保護 , 過熱保護を
内蔵
I 用 途
• スイッチング電源(∼ 60 W)
• AC アダプタ
• バッテリーチャージャ
I 絶対最大定格 Ta = 25°C ± 3°C
項目
記号
ドレイン電圧
VD
バイパス電圧
VB
フィードバック電圧
VF
出力電流
ID
出力ピーク電流
IDP
チャネル部温度
Tch
保存温度
Tstg
定格
700
7
5
280
420
150
−55 ∼ +150
単位
V
V
V
mA
mA
°C
°C
I ブロック図
バイパス
端子
1
レギュレータ
9.4±0.3
87
5
Unit : mm
1234
2.54±0.25
1.2±0.25
(2,3,7PIN)
0.5±0.1
1 : Bypass
2 : Source
0.4±0.1
0.6±0.1
(1,4,5,8PIN)
3 : Source
4 : FB
5 : Drain
7 : Source
8 : Source
DIP-8-A1(CF) Package
形名表示記号 : MIP289
5 ドレイン
端子
過熱保護回路
再起動の
トリガ回路
Max Duty
Clock
フィード
バック
4
端子
SQ
R
オン時
ブランキング
パルス発生回路
GND
2
ソース
端子
(3, 7, 8)
1