BPX86 View Datasheet(PDF) - Infineon Technologies

Part Name

Description

Manufacturer

BPX86

Silicon NPN Phototransistor Arrays

Infineon Technologies 

BPX 80, BPX 82 … 89

Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern

gekennzeichnet.

The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by

arabian figures.

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Werte

Value

Einheit

Unit

-A

-B

-C

Fotostrom, λ = 950 nm

Photocurrent

Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V

IPCE

0.32 … 0.63 0.40 … 0.80 ≥ 0.5

mA

Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, IPCE

1.7

2.2

2.7

mA

VCE = 5 V

Anstiegszeit/Abfallzeit

Rise and fall time

tr, tf

5.5

6

8

µs

IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCEsat 150

150

150

mV

Collector-emitter saturation voltage

IC

=

I 1)

PCEmin

×

0.3,

Ee = 0.5 mW/cm2

1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.

1) IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group.

Die gelieferten Bauelemente sind mit -A, -B, -C gekennzeichnet. Wegen Ausbeuteschwankungen ist jedoch die

Bestellung einer definierten Gruppe -A, -B, -C nicht möglich.

For delivery the components are marked -A, -B, -C. Due to differing yields, it is not possible to order a definite group.

2000-01-01

4

OPTO SEMICONDUCTORS

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