MIP3E3SMY View Datasheet(PDF) - Panasonic Corporation

Part Name

Description

Manufacturer

MIP3E3SMY

Intelligent Power Devices / Silicon MOS type integrated circuit

Panasonic Corporation 

インテリジェントパワーデバイス(IPD)

MIP3E3SMY

シリコン MOS 形集積回路

■ 特 長

• ワールドワイド入力対応で，軽負荷時の消費電力を更に削減

(MIP2ExD シリーズより最大で50% 削減)

• 各種保護回路機能内蔵によりリアルタイムの保護が可能

• ソフトスタート内蔵

■ 用 途

• スイッチング電源制御用

■ 絶対最大定格

項目

ドレイン電圧

コントロール電圧

ドレイン電流

尖頭ドレイン電流

コントロール電流

チャネル温度

保存温度

記号

VD

VC

ID

IDP

IC

Tch

Tstg

定格

700

8

1.1

1.7

0.1

150

−55 ∼ +150

単位

V

V

A

A

A

°C

°C

10.5±0.5

9.5±0.2

8.0±0.2

Unit : mm

4.5±0.2

1.4±0.1

φ 3.7±0.2

1.4±0.1

0.8±0.1

2.54±0.3

5.08±0.5

2.5±0.2

0.6+–00..21

123

1 : Control

2 : Source

3 : Drain

TO-220-A1 Package

形名表示記号 : MIP3E3SMY

■ ブロック図

Control

エラーアンプ

発振器

Max. duty

clock

起動時 起動用定電流

Drain

軽負荷検出

間欠発振制御用

過熱保護

回路

S

Q

再起動トリガ R Q

SQ

RQ

内部電源供給

タイマ

間欠動作回路

ゲートドライバ

パワー

MOSFET

オン時

ブランキング

パルス発生回路

過電流

保護

ドレイン電流

検出用

Source

発行年月 : 2003年8月

SLB00054AJD

1

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