MIP3E3SMY View Datasheet(PDF) - Panasonic Corporation

Part Name

Description

Manufacturer

MIP3E3SMY

Intelligent Power Devices / Silicon MOS type integrated circuit

Panasonic Corporation 

MIP3E3SMY

■ 電気的特性 TC = 25°C ± 3°C

項目

記号

コントロール機能

出力周波数

最大デューティサイクル

fOSC

MAXDC

PWM ゲイン *

GPWM

電源

起動前動作電流

軽負荷停止時電流

動作時電流

起動時コントロール端子電圧

停止時コントロール端子電圧

起動 / 停止ヒステリシス電圧

コントロール端子クランプ電圧

間欠動作時間比

間欠動作周波数

コントロール端子充電電流

IC(SB)1

IC(SB)2

IC(OP)

VC(ON)

VC(OFF)

∆VC

VC(CLP)

TSW / TTIM

fTIM

IC(CHG)

コントロール電圧

コントロール電圧ヒステリシス *

最小ドレイン電圧

保護機能

VC(CNT)

∆VC(CNT)

VD(MIN)

過電流保護検出

オン時ブランキング幅 *

過電流保護遅れ時間 *

過熱保護温度 *

ラッチリセット電圧 *

出力

ILIMIT

ton(BLK)

td(OCL)

TOTP

VC reset

ドレイン・ソース間オン抵抗

RDS(on)

ドレイン・ソース間遮断電流

IDSS

条件

VC = VC(CNT) − 0.2 V, VD = 5 V

VC = VC(CNT) − 0.2 V, VD = 5 V

VC = VC(CNT)

VC < VC(ON) , VD = 5 V

VC > VC(CNT) , VD = 5 V

VC = VC(CNT) − 0.2 V, VD = 5 V

VD = 5 V

VD = 5 V

VD = 5 V

IC = 1 mA, VD = 5 V

VC = 0 V, VD = 40 V

VC = 5 V, VD = 40 V

VD = 5 V

VD = 5 V

ID = 0.2 A

VDS = 650 V, VC = 6.5 V

ドレイン・ソース間降伏電圧

上昇時間

下降時間

チャネル・ケース間熱抵抗 *

チャネル・周囲間熱抵抗 *

注 ) * : 設計保証項目

VDSS

tr

tf

Rth(ch-c)

Rth(ch-a)

ID = 1 mA, VC = 6.5 V

VC = VC(CNT) − 0.2 V, VD = 5 V

VC = VC(CNT) − 0.2 V, VD = 5 V

最小 標準 最大 単位

90 100 110 kHz

45.0 47.5 50.0 %

11

dB

0.2 0.4 0.7 mA

0.2 0.5 0.8 mA

0.20 0.55 1.00 mA

5.4 6.1 6.7

V

4.1 4.8 5.4

V

0.8 1.3 1.8

V

5.7 6.2 6.7

V

4

%

3

Hz

−3.6 −2.5 −1.0 mA

−2.0 −1.0 − 0.4

5.4 5.8 6.3

V

10

mV

36

V

0.9 1.0 1.1

A

220 300 380

ns

50 100 150

ns

130 140

°C

2.2 3.3 4.2

V

6.0 7.5

Ω

10 250 µA

700

250

50

3.0

70

V

ns

ns

°C/W

°C/W

2

SLB00054AJD

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