DatasheetQ Logo
Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits

MIP2E4D View Datasheet(PDF) - Panasonic Corporation

Part Name
Description
Manufacturer
MIP2E4D Datasheet PDF : 3 Pages
1 2 3
インテリジェントパワーデバイス(IPD)
MIP2E4DMY
シリコン MOS 形集積回路
I 特 長
軽負荷時の消費電力を大幅に削減
各種保護回路機能内蔵によりリアルタイムの保護が可能
I 用 途
スイッチング電源制御用
I 絶対最大定格 Ta = 25°C ± 3°C
項目
記号
ドレイン電圧
VD
コントロール電圧
VC
出力電流
ID
出力ピーク電流
IDP
コントロール電流
IC
チャネル部温度
Tch
保存温度
Tstg
定格
700
10
1.72
2.4
0.1
150
55 ∼ +150
単位
V
V
A
A
A
°C
°C
10.5±0.5
9.5±0.2
8.0±0.2
Unit : mm
4.5±0.2
1.4±0.1
φ 3.7±0.2
1.4±0.1
0.8±0.1
2.54±0.3
5.08±0.5
2.5±0.2
0.6+–00..21
123
1 : Control
2 : Source
3 : Drain
TO-220-A1 Package
形名表示記号 : MIP2E4DMY
I ブロック図
Control 1
エラーアンプ
発振器
Max Duty
Clock
Sawtooth
軽負荷検出
間欠発振制御用
起動用定電流
内部電源供給
タイマ
間欠動作回路
3 Drain
過熱保護回路 S Q
再起動トリガ R Q
ゲート パワー
ドライバ MOSFET
V-I変換器
スロープ
補償
SQ
RQ
オン時
ブランキング
パルス発生回路
過電流
保護
ドレイン電流
検出用
2
Source
発行年月 : 20018
SLB00030BJD
1

Share Link: 

datasheetq.com  [ Privacy Policy ]Request Datasheet ] [ Contact Us ]