HYB 511000BJ/BJL-50/-60/-70
1 M ร 1-DRAM
AC Characteristics (contโd) 4) 13)
TA = 0 to 70 หC; VCC = 5 V ยฑ 10 %; tT = 5 ns
Parameter
Symbol
-50
min. max.
RAS to column address tRAD
15
25
delay time
12)
CAS to RAS precharge tCRP
5
โ
time
CAS precharge time (fast tCP
page mode)
10
โ
Row address
setup time
tASR
0
โ
Row address
hold time
tRAH
10
โ
Column address setup tASC
0
โ
time
Column address hold
tCAH
15
โ
time
Column address to RAS tRAL
lead time
25
โ
Read command setup
tRCS
0
โ
time
Read command hold
tRCH
0
โ
time
8)
Read command hold time tRRH
0
โ
referenced to RAS
8)
Write command hold time tWCH
10
โ
Write command pulse
tWP
width
10
โ
Write command to RAS tRWL
15
โ
lead time
Write command to CAS tCWL
15
โ
lead time
Data setup time
Data hold time
9) tDS
9) tDH
0
โ
10
โ
Refresh period
tREF
โ
8
Refresh period for
L-version only
tREF
โ
64
Limit Values
-60
min. max.
15
30
-70
min. max.
15
35
5
โ
5
โ
10
โ
10
โ
0
โ
0
โ
10
โ
10
โ
0
โ
0
โ
15
โ
15
โ
30
โ
35
โ
0
โ
0
โ
0
โ
0
โ
0
โ
0
โ
10
โ
10
โ
15
โ
15
โ
15
โ
20
โ
15
โ
20
โ
0
โ
15
โ
โ
8
โ
64
0
โ
15
โ
โ
8
โ
64
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
Semiconductor Group
40