HYB 511000BJ/BJL-50/-60/-70
1 M ร 1-DRAM
AC Characteristics (contโd) 4) 13)
TA = 0 to 70 หC; VCC = 5 V ยฑ 10 %; tT = 5 ns
Parameter
Symbol
-50
min. max.
Write command setup
tWCS
0
โ
time
10)
CAS to WE delay
tCWD
15
โ
time
10)
RAS to WE delay time 10) tRWD
50
โ
Column address to WE tAWD
25
โ
delay time
10)
CAS setup time (CAS- tCSR
5
โ
before-RAS cycle)
CAS hold time (CAS-
tCHR
10
โ
before-RAS cycle)
RAS to CAS precharge tRPC
0
โ
time
CAS precharge time
(CAS-before-RAS
counter test cycle)
tCPT
25
โ
Test mode enable setup tTES
0
โ
time referenced to RAS
Test mode enable hold tTEHR
0
โ
time referenced to RAS
Test mode enable hold tTEHC
0
โ
time referenced to CAS
Limit Values
-60
min. max.
0
โ
-70
min. max.
0
โ
15
โ
20
โ
60
โ
30
โ
70
โ
35
โ
5
โ
5
โ
15
โ
15
โ
0
โ
0
โ
30
โ
40
โ
0
โ
0
โ
0
โ
0
โ
0
โ
0
โ
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Capacitance
TA = 0 to 70 หC; VCC = 5 V ยฑ 10 %; f = 1 MHz
Parameter
Input capacitance (A0 to A9, DI)
Input capacitance (RAS, CAS, WE, TF)
Output capacitance (DO)
Symbol
CI1
CI2
CO
Limit Values
min.
max.
โ
5
โ
7
โ
7
Unit
pF
pF
pF
Semiconductor Group
41