BA5810FM View Datasheet(PDF) - ROHM Semiconductor
Part Name
Description
Manufacturer
BA5810FM Datasheet PDF : 9 Pages
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光ディスク IC
BA5810FP/FM
z電気的特性（特に指定のない限り Ta=25°C, PREVCC=12V, POWVCC12, 34=5V, BIAS=1.65V, RL=8Ω）
Parameter
Symbol Min. Typ. Max. Unit
Conditions
測定回路
無信号時回路電流
ICC
−
22.9
34
mA 無負荷時
Fig.1
パワーセーブ時電流
IPS
−
1.65
2.8
mA PS="L"
Fig.1
パワーセーブON電圧 VPSON
−
−
0.5
V
Fig.1
パワーセーブOFF電圧 VPSOFF 2.0
−
−
V
Fig.1
〈BTLドライバ〉
出力オフセット電圧
VOO
−50
0
50
mV
Fig.2
最大出力振幅
VOM
3.6
4.0
−
V
Fig.2
電圧利得
GVC
17.2 19.0 20.8
dB
Fig.2
ミュートON電圧
VMTON
−
−
0.5
V
Fig.1
ミュートOFF電圧
VMTOFF 1.5
−
−
V
Fig.1
ミュート端子入力電流 IMUTE
−
180
270
µA VMUTE=5V
Fig.1
バイアス端子入力電流 IBIAS
−
75
120
µA VBIAS=2.5V
Fig.1
〈前端オペアンプ (CH3,4)〉
同相入力範囲
VICM
0.5
−
10.0
V
Fig.2
入力オフセット電圧
VOFOP −6
0
6
mV
Fig.2
入力バイアス電流
IBOP
−
−
300
nA
Fig.2
ハイレベル出力電圧
VOHOP 11.5
−
−
V BIAS=6V
Fig.2
ローレベル出力電圧
VOLOP
−
−
0.5
V BIAS=6V
Fig.2
出力駆動電流シンク
ISIN
1
−
−
mA
Fig.2
出力駆動電流ソース
ISOU
1
−
−
mA
Fig.2
スルーレート
SROP
−
1
−
V/µs 100kHz方形波、2VP-P出力
Fig.2
〈ローディングドライバ〉
出力飽和電圧1
VSAT1 0.7
1.1
1.5
V 上側+下側の和 IL=200mA
Fig.2
出力飽和電圧1 F/R差 ∆VSAT1
−
−
0.1
V 出力飽和電圧1のF/R差
Fig.2
出力飽和電圧2
VSAT2
1.0
1.55
2.2
V 上側+下側の和 IL=500mA
Fig.2
出力"H"電圧可変ゲイン GVH
7.4
9.2
11
dB "H"側出力対入力 (LDCNT)
Fig.2
〈ローディングロジック入力〉
入力ハイレベル電圧
VIHLD
1.5
−
VCC
V
Fig.1
入力ローレベル電圧
VILLD −0.3
−
0.5
V
Fig.1
入力ハイレベル電流
IIHLD
−
180
270
µA VFWD=VREV=5V
Fig.1
◎耐放射線設計はしておりません。
4/8
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