ยฎ
TQFP thermal resistance
Description
Thermal resistance
(junction to ambient)*
Thermal resistance
(junction to top of case)*
* This parameter is sampled.
Conditions
Test conditions follow standard test
methods and procedures for measuring
thermal impedance, per EIA/JESD51
Symbol
ฮธJA
ฮธJC
AS7C33128PFD32A
AS7C33128PFD36A
Typical
40
8
Units
ยฐC/W
ยฐC/W
DC electrical characteristics
โ166
โ150
โ133
โ100
Parameter
Symbol
Test conditions
Min Max Min Max Min Max Min Max Unit
Input leakage
current*
|ILI| VDD = Max, VIN = GND to VDD โ 2 โ 2 โ 2 โ 2 ยตA
Output leakage
current
Operating power
supply current
Standby power
supply current
Output voltage
|ILO|
OE โฅ VIH, VDD = Max,
VOUT = GND to VDD
โ 2 โ 2 โ 2 โ 2 ยตA
ICC
CE0 = VIL, CE1 = VIH, CE2 = VIL,
f = fMax, IOUT = 0 mA
โ
475
โ
450
โ
425
โ
325 mA
ISB
Deselected, f = fMax, ZZ โค VIL โ 130 โ 110 โ 100 โ 90
Deselected, f = 0, ZZ โค 0.2V
ISB1
all VIN โค 0.2V or โฅ VDD โ 0.2V โ 30 โ 30 โ 30 โ 30 mA
ISB2
Deselected, f = fMax, ZZ โฅ VDD โ 0.2V
All VIN โค VIL or โฅ VIH
โ
30
โ
30
โ
30
โ
30
VOL
IOL = 8 mA, VDDQ = 3.465V
โ 0.4 โ 0.4 โ 0.4 โ 0.4
V
VOH IOH = โ4 mA, VDDQ = 3.135V 2.4 โ 2.4 โ 2.4 โ 2.4 โ
* LBO pin has an internal pull-up and input leakage = ยฑ10 ยตa.
Note: ICC given with no output loading. ICC increases with faster cycles times and greater output loading.
DC electrical characteristics for 2.5V I/O operation
Parameter
Output leakage
current
Output voltage
Symbol
|ILO|
VOL
VOH
Test conditions
OE โฅ VIH, VDD = Max,
VOUT = GND to VDD
IOL = 2 mA, VDDQ = 2.65V
IOH = โ2 mA, VDDQ = 2.35V
โ166
โ150
โ133
โ100
Min Max Min Max Min Max Min Max Unit
โ1 1 โ1 1 โ1 1 โ1 1 ยตA
โ 0.7 โ 0.7 โ 0.7 โ 0.7
V
1.7 โ 1.7 โ 1.7 โ 1.7 โ
3/22/01; v.1.0
Alliance Semiconductor
P. 5 of 11