AS4LC2M8S1
AS4LC1M16S1
DC electrical characteristics
Parameter
Symbol
Input leakage current IIL
Output leakage
current
Operating current
(one bank active)
Precharge standby
current (power
down mode)
IOL
ICC1
ICC2P
ICC2PS
Precharge standby
current (non-power-
down mode)
ICC2N
ICC2NS
Active standby
current (power-
down mode)
ICC3P
ICC3PS
Active standby
current (non-power-
down mode, one
bank active)
ICC3N
ICC3NS
Operating current
(burst mode)
ICC4
Refresh current
ICC5
Test conditions
0V โค VIN โค VCC,
Pins not under test = 0V
DOUT disabled, 0V โค VOUT โค VCCQ
tRC โฅ min, IO = 0mA,
burst length = 1
CKE โค VIL(max), tCK = 15 ns
CKE and CLK โค VIL(max), tCK = โ
CS โฅ VIH(min), CKE โฅ VIH(min),
tCK = 15 ns; input signals changed
once during 30 ns
CLK โค VIL(max), CKE โฅ VIH(min),
tCK = โ; input signals stable
CKE โค VIL(max), tCK = 15 ns
CLK, CKE โค VIL(max), tCK = โ
CKE โฅ VIH(min), CS โฅ VIH(min),
tCK = 15 ns; input signals changed
once during 30 ns
CKE โฅ VIH(min), CLK โฅ VIL(max),
tCK = โ; input signals stable
IO = 0 mA
Page burst
All banks activated
tCCD = tCCD(min)
tRC โฅ tRC(min)
Self refresh current ICC6
CL = CAS latency.
CKE โค 0.2 V
โ7
โ8
โ10
Min Max Min Max Min Max Unit Notes
โ5 +5 โ5 +5 โ5 +5 ยตA
โ10 +10 โ10 +10 โ10 +10 ยตA
โ
140
โ
100
โ
100 mA
1,3,
4,5
โ 2.0 โ 2.0 โ 2.0 mA
โ 2.0 โ 2.0 โ 2.0 mA
โ 30 โ 30 โ 30 mA 1,2,3
โ 6 โ 6 โ 6 mA 1,2,3
โ 2 โ 2 โ 2 mA 1,2,3
โ 2 โ 2 โ 2 mA 1,2,3
โ 35 โ 35 โ 35 mA 1,2,3
โ 10 โ 10 โ 10 mA 1,2,3
CL =3
CL =2
CL =1
140 โ 130 โ 120
125
โ
115
โ
100 mA
1,2,
3,5
80 โ 70 โ 70
80
โ
70
โ
70
mA
1,2,
3,5
2 โ 2 โ 2 mA
1 โ 1 โ 1 mA 15
7/5/00
ALLIANCE SEMICONDUCTOR
7