KSH13007W View Datasheet(PDF) - Shantou Huashan Electronic Devices
Part Name
Description
Manufacturer
KSH13007W Datasheet PDF : 3 Pages
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Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
NPN SILICON TRANSISTOR
KSH13007W
█ HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATION
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃
Tj——Junction Temperature……………………………… 150℃
PC——Collector Dissipation（Tc=25℃）…………………… 80W
VCBO——Collector-Base Voltage…………………………… 700V
VCEO——Collector-Emitter Voltage………………………… 400V
VEBO——Emitter-Base Voltage……………………………… 9V
IC——Collector Current（DC）……………………………… 8A
IC——Collector Current（Pulse）…………………………… 16A
IB——Base Current……………………………………………4A
█ 电参数（Ta=25℃）
TO-263（D2PAK）
1―Base，B
2―Collector，C
3―Emitter, E
Symbol
Characteristics
Min Typ Max Unit
Test Conditions
BVCEO
Collector-Emitter Sustaining Voltage
400
V
IC=10mA, IB=0
IEBO
Emitter-Base Cutoff Current
1 mA
VEB=9V, IC=0
HFE（1）
DC Current Gain
10
40
VCE=5V, IC=2A
HFE（2）
5
30
VCE=5V, IC=5A
VCE(sat1) Collector- Emitter Saturation Voltage
1
V
IC=2A, IB=400mA
VCE(sat2)
2
V
IC=5A, IB=1A
VCE(sat3)
3
V
IC=8A, IB=2A
VBE(sat1) Base- Emitter Saturation Voltage
1.2 V
IC=2A, IB=0.4A
VBE(sat2)
1.6 V
IC=5A, IB=1A
Cob
Output Capacitance
110
pF VCB=10V, f=0.1MHz z
fT
Current Gain-Bandwidth Product
4
VCE=10V, IC=500mA
tON
Turn On time
tSTG
Storage Time
tF
Fall Time
1.6 uS
3 uS
0.7 uS
Vcc=125V,Ic=5A
IB1=IB2=1A
█ hFE Classification
H1
10—16
H2
14—21
H3
19—26
H4
24—31
H5
29—40
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