Electronic component search and free download site.
Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
ํ๊ตญ์ด
ๆฅๆฌ่ช
ััััะบะธะน
็ฎไฝไธญๆ
espaรฑol
Part Name
Description
HYS72V16220GU-8 View Datasheet(PDF) - Infineon Technologies
Part Name
Description
Manufacturer
HYS72V16220GU-8
3.3 V 8M ร 64/72-Bit 1 Bank SDRAM Module, 3.3 V 16M ร 64/72-Bit 2 Bank SDRAM Module
Infineon Technologies
HYS72V16220GU-8 Datasheet PDF : 17 Pages
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Next
Last
HYS 64(72)V8200/16220GU-8/-10
SDRAM Modules
AC Characteristics
3, 4
T
A
= 0 to 70
ยฐ
C;
V
SS
= 0 V;
V
CC
= 3.3 V
ยฑ
0.3 V,
t
T
= 1 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
-8
-8B
PC100-222 PC100-323
-10
PC66
min. max. min. max. min. max.
Note
Clock and Clock Enable
Clock Cycle Time
t
CK
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
System Frequency
f
CK
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
Clock Access Time
t
AC
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
Clock High Pulse Width
Clock Low Pulse Width
Input Setup Time
Input Hold Time
CKE Setup Time
(Power down mode)
t
CH
t
CL
t
CS
t
CH
t
CKSP
CKE Setup Time
(Self Refresh Exit)
t
CKSR
Transition Time
t
T
(rise and fall)
10 โ
10 โ
10 โ
ns
10 โ
12 โ
15 โ
ns
โ
100 โ
100 โ
100 MHz
โ
100 โ
83 โ
66 MHz
โ
6
โ
6
3
โ
3
โ
2
โ
1
โ
2.5 โ
8
โ
โ
6
โ
7
3
โ
3
โ
2
โ
1
โ
2.5 โ
10 โ
โ
8
โ
9
3.5 โ
3.5 โ
3
โ
1
โ
3
โ
8
โ
ns
4, 5
ns
ns
6
ns
6
ns
7
ns
7
ns
8
ns
9
1
โ
1
โ
1
โ
ns
Common Parameters
RAS to CAS delay
t
RCD
Precharge Time
t
RP
Active Command Period
t
RAS
Cycle Time
t
RC
Bank to Bank Delay Time
t
RRD
CAS to CAS Delay Time
t
CCD
(same bank)
20 โ
20 โ
30 โ
ns
20 โ
30 โ
30 โ
ns
50 100k 60 100k 70 100k ns
70 โ
80 โ
80 โ
ns
16 โ
20 โ
20 โ
ns
1
โ
1
โ
1
โ
CLK
Semiconductor Group
9
1998-08-01
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]