PBMB200E6 View Datasheet(PDF) - Nihon Inter Electronics
Part Name
Description
Manufacturer
PBMB200E6 Datasheet PDF : 4 Pages
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□ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ
3
4
5
2
QMS7301-302M0709 (2/5)
Full Bridge ＩＧＢＴ Module
２００Ａ／６００Ｖ
ＰＢＭＢ２００Ｅ６
□ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
4-Ø 6.5
110.0
14
13
9
4-M6
1
2
3
1
7
6
11
12
8
9
10
24
25
25
24
93.0
18 7 18 7 18
8-fasten tab
#110
LABEL
Dimension:［mm］
□ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （at TC=25°C unless otherwise specified）
Ｉｔｅｍ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
ゲート・エミッタ間電圧
Ｇ ate-Ｅ mitter Ｖ oltage
コレクタ電流
Ｃollector Ｃurrent
ＤＣ
１ｍｓ
コレクタ損失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation
接
合
温
度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
保
存
温
度
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange
絶 縁 耐 圧 (Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
Ｉsolation Ｖoltage
締め付けトルク
Ｍounting Ｔorque
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal
Ｓｙｍｂｏｌ
ＶＣＥＳ
ＶＧＥＳ
ＩＣ
ＩＣＰ
ＰＣ
Ｔｊ
Ｔｓｔｇ
ＶＩＳＯ
Ｆｔｏｒ
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
６００
±２０
２００
４００
７８０
－４０～＋１５０
－４０～＋１２５
２,５００
３（３０.６）
Ｕｎｉｔ
Ｖ
Ｖ
Ａ
Ｗ
℃
℃
Ｖ(ＲＭＳ）
Ｎ・ｍ
(kgf･cm)
□ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （at Tj=25°C unless otherwise specified）
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
コレクタ遮断電流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
ゲート漏れ電流
Ｇ ate-Ｅ mitter Ｌ eakage Ｃ urrent
Ｓｙｍｂｏｌ
ＩＣＥＳ
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
ＶＣＥ= 600V,ＶＧＥ= 0V
ＩＧＥＳ
ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V
Ｍｉｎ.
－
Ｔｙｐ.
－
Ｍａｘ.
１.０
Ｕｎｉｔ
ｍＡ
－
－
１.０
μＡ
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
ＶＣＥ(sat)
ＩＣ= 200A,ＶＧＥ= 15V
－
２.１ ２.６
Ｖ
ゲ ー ト しきい値電圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage
ＶＧＥ(th)
ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 200mA
４.０
－
８.０
Ｖ
入力容量
Ｉnput Ｃapacitance
スイッチング時間
Ｓ witching Ｔ ime
上 昇 時 間 Ｒise Ｔime
ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime
下 降 時 間 Ｆall Ｔime
ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime
Ｃｉｅｓ
ｔｒ
ｔｏｎ
ｔｆ
ｔｏｆｆ
ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ
ＶＣＣ= 300V
ＲＬ= 1.5Ω
ＲＧ= 3.6Ω
ＶＧＥ= ±15V
－
10,000
－
ｐＦ
－
０.１５ ０.３０
－
０.２５ ０.４０ μｓ
－
０.１０ ０.３５
－
０.３５ ０.７０
□ フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ（at TC=25°C） ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（at Tj=25°C）
Ｉｔｅｍ
順
電
流
Ｆ orward Ｃ urrent
ＤＣ
１ｍｓ
Ｓｙｍｂｏｌ
ＩＦ
ＩＦＭ
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
２００
４００
Ｕｎｉｔ
Ａ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
順
電
圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆回復時間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime
Ｓｙｍｂｏｌ
ＶＦ
ｔｒｒ
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
ＩＦ= 200A,ＶＧＥ= 0V
ＩＦ= 200A,ＶＧＥ= -10V
ｄi/ｄt= 400A/μs
□ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
熱
抵
抗
Ｔ hermal Ｉ mpedance
ＩＧＢＴ
Ｄ iode
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｒth(j-c)
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Junction to Case
（Tcチップ直下での測定点）
Ｍｉｎ.
－
Ｔｙｐ.
１.９
Ｍａｘ.
２.４
Ｕｎｉｔ
Ｖ
－
０.１５ ０.２５ μｓ
Ｍｉｎ.
－
－
Ｔｙｐ.
－
－
Ｍａｘ.
０.１６
０.３８
Ｕｎｉｔ
℃／Ｗ
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