Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
Part Name
Description
TPC8127 View Datasheet(PDF) - Toshiba
Part Name
Description
Manufacturer
TPC8127
Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅥ) Field Effect Transistor
Toshiba
TPC8127 Datasheet PDF : 7 Pages
1
2
3
4
5
6
7
−
6
−
4.5
−
3.4
−
20
−
3
−
10
−
16
I
D
– V
DS
−
2.8
Common source
−
2.6 Ta
=
25°C
Pulse test
−
2.5
−
2.4
−
12
−
2.3
−
8
−
2.2
−
4
VGS
= −
2.1 V
0
0
−
0.2
−
0.4
−
0.6
−
0.8
−
1
Drain
−
source voltage V
DS
(V)
TPC8127
−
6
−
4.5
I
D
– V
DS
−
50
−
10
−
3.8
−
3.2
−
3
Common source
−
2.8 Ta
=
25°C
Pulse test
−
40
−
2.6
−
30
−
20
−
10
0
0
−
2.5
−
2.4
−
2.3
−
2.2
VGS
= −
2.1 V
−
0.4
−
0.8
−
1.2
−
1.6
−
2
Drain-source voltage V
DS
(V)
−
50
Common source
VDS
= −
10 V
Pulse test
−
40
I
D
– V
GS
−
30
−
20
−
10
0
0
Ta
=
100°C
−
55
25
−
1
−
2
−
3
−
4
Gate
−
source voltage V
GS
(V)
V
DS
– V
GS
−
0.4
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
−
0.3
−
0.2
−
0.1
ID
= −
13 A
−
6.5
−
3
0
0
−
4
−
8
−
12
−
16
−
20
Gate
−
source voltage V
GS
(V)
R
DS (ON)
– I
D
100
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
10
VGS
= −
4.5 V
−
10
1
−
0.1
−
1
−
10
−
100
Drain current I
D
(A)
4
2009-11-20
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]