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BC856A(2018) View Datasheet(PDF) - Diotec Semiconductor Germany

Part Name
Description
Manufacturer
BC856A
(Rev.:2018)
Diotec
Diotec Semiconductor Germany  Diotec
BC856A Datasheet PDF : 2 Pages
1 2
BC856 ... BC860
BC856 ... BC860
SMD General Purpose PNP Transistors
SMD Universal-PNP-Transistoren
IC = -100 mA
hFE ~ 180/290/520
Tjmax = 150°C
VCEO = -30...-65 V
Ptot = 250 mW
Version 2018-10-11
SOT-23
(TO-236)
0.4+0.1
-0.05
2.9 ±0.1
3
Type
Code
1
2
1.9±0.1
1.1+0.1
-0.2
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1)
Features
General Purpose
Three current gain groups
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Mechanical Data 1)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)
Besonderheiten
Universell anwendbar
Drei Stromverstärkungsklassen
RoHS
Pb
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanische Daten 1)
Taped and reeled
3000 / 7“
Gegurtet auf Rolle
1=B 2=E 3=C
Dimensions - Maße [mm]
Weight approx.
Case material
Solder & assembly conditions
0.01 g
UL 94V-0
260°C/10s
Gewicht ca.
Gehäusematerial
Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
BC856A/-Q 3A
BC856B/-AQ 3B
BC856C/-AQ 3C
Type
Code
BC857A/-AQ 3E
BC857B/-Q/-AQ 3F
BC857C/-AQ 3G
BC860B
BC860C
3F
3G/4G
BC858A/-AQ
3E
BC858B/-AQ
3F
BC858C/-AQ
3G
BC859A/-AQ
3E
BC859B/-AQ
3F
BC859C/-AQ 3G/4G
Recomm. complementary NPN transistors
Empf. komplementäre NPN-Transistoren
BC846 ... BC850
Maximum ratings 2)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
DC
- VCEO
- VCBO
- VEBO
Ptot
- IC
- ICM
Tj
TS
BC856
65 V
80 V
Grenzwerte 2)
BC857
BC860
BC858
BC859
45 V
30 V
50 V
30 V
5V
250 mW 3)
100 mA
200 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1

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