Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
Part Name
Description
MIP0254 View Datasheet(PDF) - Panasonic Corporation
Part Name
Description
Manufacturer
MIP0254
Intentional Power Device (IPD)
Panasonic Corporation
MIP0254 Datasheet PDF : 3 Pages
1
2
3
インテリジェントパワーデバイス
(IPD)
MIP0254SP
シリコン
MOS
形集積回路
■
特 長
•
高耐圧パワー
MOS FET
と
CMOS
制御回路をワンチップ化
•
ワールドワイド入力
(85 VAC to 274 VAC)
が可能
•
待機時
(
軽負荷時
)
の低消費電力化が可能
•
各種保護機能内蔵
9.4±0.3
87
5
Unit: mm
■
用 途
1234
•
テレビ、ビデオ
etc.
待機電源
(
リモコン電源
)
2.54±0.25
•
AC
アダプタ
•
マイコン駆動電源
■
絶対最大定格
T
a
=
25
°
C
項目
記号
止
を
ドレイン電圧
V
D
種
。
バイパス電圧
V
B
品
す
フィードバック電圧
V
F
廃
ま
出力電流
I
D
、
い
チャネル部温度
T
ch
廃
種 て
保存温度
T
stg
定格
700
7
7
300
150
−
55 to
+
150
単位
V
V
V
mA
°
C
°
C
保守品表記し
■
ブロック図
守
種、 止と
バイパス
保
保守括予し定て品保守廃
端子
1
レギュレータ
1.2±0.25
(2,3,7PIN)
0.5±0.1
0.4±0.1
0.6±0.1
(1,4,5,8PIN)
1 : Bypass 5 : Drain
2 : Source
3 : Source 7 : Source
4 : FB
8 : Source
DIP8-A1(CF) Package
形名表示記号
: MIP0254
5
ドレイン
端子
過熱保護回路
一
再起動の
トリガ回路
Max Duty
Clock
フィード
バック
4
端子
S
Q
R
オン時
ブランキング
パルス発生回路
GND
2
ソース
端子
(3, 7, 8)
発行年月
: 2006
年
6
月
SLB00010BJD
1
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]