Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
Part Name
Description
SVF13N50T View Datasheet(PDF) - Unspecified
Part Name
Description
Manufacturer
SVF13N50T
13A, 500V N-channel enhanced field effect transistor
Unspecified
SVF13N50T Datasheet PDF : 9 Pages
1
2
3
4
5
6
7
8
9
SVF13N50T/F/PN
说明书
极限参数
(
除非特殊说明,
T
C
=25°C)
参数名称
漏源电压
栅源电压
漏极电流
T
C
=25°C
T
C
=100°C
漏极脉冲电流
耗散功率(
T
C
=25°C
)
-
大于
25°C
每摄氏度减少
单脉冲雪崩能量(注
1
)
工作结温范围
贮存温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
E
AS
T
J
T
stg
SVF13N50T
190
1.52
参数范围
SVF13N50F
500
±30
13
10
52
51
0.41
823.75
-55
~
+150
-55
~
+150
SVF13N50PN
218
1.74
热阻特性
参数名称
芯片对管壳热阻
芯片对环境的热阻
符号
R
θ
JC
R
θ
JA
SVF13N50T
0.66
62.5
参数范围
SVF13N50F
2.45
120
SVF13N50PN
0.57
50
电性参数
(
除非特殊说明,
T
C
=25°C)
参数名称
漏源击穿电压
漏源漏电流
栅源漏电流
栅极开启电压
导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
栅极
-
源极电荷量
栅极
-
漏极电荷量
符号
BB
VDSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
R
DS(on)
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
V
GS
=0V
,
I
D
=250µA
V
DS
=500V
,
V
GS
=0V
V
GS
=±30V
,
V
DS
=0V
V
GS
= V
DS
,
I
D
=250µA
V
GS
=10V
,
I
D
=6.5A
V
DS
=25V
,
V
GS
=0V
,
f=1.0MHZ
V
DD
=250V
,
I
D
=13A
,
R
G
=4.7
Ω
,
V
GS
=10V
(
注
2
,
3)
V
DS
=400V
,
I
D
=13A
,
V
GS
=10V
(
注
2
,
3)
最小值
500
--
--
2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
--
--
--
0.44
1436
183
4.76
37.33
76.67
79.67
54.00
23.83
7.79
7.86
最大值
--
1
±100
4.0
0.52
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
单位
V
V
A
A
W
mJ
°C
°C
单位
°C/W
°C/W
单位
V
µA
nA
V
Ω
pF
ns
nC
昆山东森微电子有限公司
Http://www.ksmcu.com
版本号:
11
2011.09.01
共
9
页 第
2
页
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]