MIP2E5DMY View Datasheet(PDF) - Panasonic Corporation

Part Name

Description

Manufacturer

MIP2E5DMY

Silicon MOS type integrated circuit

Panasonic Corporation 

インテリジェントパワーデバイス(IPD)

MIP2E5DMY

シリコンMOS 形集積回路

■ 特 長

• 軽負荷時の消費電力を大幅に削減

• 各種保護回路機能内蔵によりリアルタイムの保護が可能

■ 用 途

• スイッチング電源制御用

■ 絶対最大定格 Ta = 25°C ± 3°C

項目

記号

ドレイン電圧

VD

コントロール電圧 VC

10

出力電流

ID

出力ピーク電流

IDP

コントロール電流 IC

0.1

チャネル部温度

Tch

保存温度

Tstg

定格

700

V

2.4

3.3

A

150

−55 ∼ +150

単位

V

A

A

°C

°C

■ パッケージ

• コード

TO-220-A2

• 端子名

1: Control

2: Source

3: Drain

■ 品名表示記号: MIP2E5DMY

■ ブロック図

Control 1

エラーアンプ

発振器

Max Duty

Clock

Sawtooth

軽負荷検出

間欠発振制御用

起動用定電流

内部電源供給

タイマ

間欠動作回路

3 Drain

過熱保護回路 S Q

再起動トリガ R Q

ゲート パワー

ドライバ MOSFET

V-I変換器

スロープ

補償

SQ

RQ

オン時

ブランキング

パルス発生回路

過電流

保護

ドレイン電流

検出用

2

Source

発行年月 : 2010年3月

SLB00031CJD

1

Share Link: