GBJ2005 View Datasheet(PDF) - Yangzhou yangjie electronic co., Ltd
Part Name
Description
Manufacturer
GBJ2005 Datasheet PDF : 2 Pages
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GBJ2005 THRU GBJ210
桥式整流器 Bridge Rectifier
■特征 Features
● Io
2A
● VRRM
50V~1000V
● 玻璃钝化芯片
Glass passivated chip
● 耐正向浪涌电流能力高
High surge forward current capability
■用途 Applications
● 作一般电源单相桥式整流用
General purpose 1 phase Bridge
rectifier applications
■外形尺寸和印记 Outline Dimensions and Mark
C3.0
.756(19.2)
.835(21.2)
2KBJ
.118(3.00)
.157(4.00)
.413(10.5)
.453(11.5)
.047(1.2)
.071(1.8)
.039(1.0)
.047(1.2)
.079(2.0)
.118(3.0)
.512(13.0)
.591(15.0)
.193(4.9).193(4.9).193(4.9)
.201(5.1).201(5.1).201(5.1)
.035(0.9)
.043(1.1)
.020(0.5)
.027(0.7)
.016(0.4)
.024(0.6)
■极限值（绝对最大额定值）
Dimensions in inches and (millimeters)
Limiting Values（Absolute Maximum Rating）
参数名称
Item
反向重复峰值电压
Repetitive Peak Reverse
Voltage
符号 单位
Symbol Unit
VRRM
V
条件
Conditions
GBJ2
005 01 02 04 06 08 10
50 100 200 400 600 800 1000
平均整流输出电流
Average Rectified Output
Current
IO
A
60Hz正弦波，电阻负载，Ta=25℃
60Hz sine wave, R-load, Ta=25℃
2.0
正向（不重复）浪涌电流
Surge(Non-
IFSM
A
repetitive)Forward Current
60HZ正弦波，一个周期，Tj=25℃
60HZ sine wave, 1 cycle, Tj=25℃
正向浪涌电流的平方对电流
浪涌持续时间的积分值
Current Squared Time
I2t
A2S
1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，单个二极管
1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，Rating of per diode
存储温度
Storage Temperature
Tstg
℃
结温
Junction Temperature
Tj
℃
80
15
-55 ~+150
-55 ~+150
■电特性 （Ta=25℃ 除非另有规定）
Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified）
参数名称
符号 单位
测试条件
Item
Symbol Unit
Test Condition
正向峰值电压
Peak Forward Voltage
反向峰值电流
Peak Reverse Current
热阻
Thermal Resistance
VFM
V
IRRM
μA
RθJ-A
RθJ-C
℃/W
IFM=1.0A, 脉冲测试，单个二极管的额定值
IFM=1.0A, Pulse measurement, Rating of per diode
VRM=VRRM ,脉冲测试，单个二极管的额定值
VRM=VRRM , Pulse measurement, Rating of per diode
结和环境之间
Between junction and ambient
结和引线之间
Between junction and lead
最大值
Max
1.05
10
47
10
S-B027
Rev. 1.1, 28-Apr-14
扬州扬杰电子科技股份有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
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