KST10 View Datasheet(PDF) - Unspecified
Part Name
Description
Manufacturer
KST10 Datasheet PDF : 1 Pages
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SLS SEMICONDUCTOR (SHENZHEN) CO.,LTD.
SOT-23 封装半导体晶体管/SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
KST10 ( NPN )
印章/Marking：3E1
用途/Applications：
用于 VHF/UHF 电路
。
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数/Parameter
集电极-基极电压/Collector-Base Voltage
集电极-发射极电压/Collector-Emitter Voltage
发射极-基极电压/Emitter-Base Voltage
集电极连续电流/Collector Current Continuous
集电极耗散功率/Collector Power Dissipation
热阻/ Thermal Resistance Junction to Ambient
结温/Junction Temperature
储存温度/Storage Temperature
符号/ Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
RθJA
Tj
Tstg
数值/Value
30
25
3
40
0.35
357
150
-55～150
单位/Unit
V
V
V
mA
W
℃/mW
℃
℃
电性能参数/Electrical characteristics (Ta=25℃)
参数
符号
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
集电极-基极击穿电压 VBR(CBO)
IC=100μA,IE=0
30
V
集电极-发射极击穿电压 VBR(CEO)
IC=1mA,IB=0
25
V
发射极-基极击穿电压 VBR(EBO)
IE=10μA,IC=0
3
V
集电极截止电流
ICBO
VCB=25V,IE=0
0.1 μA
发射极截止电流
IEBO
VEB=2V,IC=0
0.1 μA
直流电流增益
hFE
VCE=10V,IC=4mA
60
集电极-发射极饱和压降 VCE(sat)
IC=4mA,IB=0.4mA
0.5 V
基极-发射极压降
VBE
VCE=10V,IC=4mA
0.95 V
特征频率
fT VCE=10V,IC=4mA,f=100MHz 650
MHz
集电极输出电容
Cob
VCB=10V,IE=0，f=1MHz
0.7 pF
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