SFH331 View Datasheet(PDF) - Siemens AG

Part Name

Description

Manufacturer

SFH331

SMT Multi TOPLED®

Siemens AG 

SFH 331

Kennwerte Fototransistor (TA = 25 oC, λ = 950 nm)

Characteristics Phototransistor

Bezeichnung

Description

Symbol

Symbol

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

Wavelength of max. sensitivity

λS max

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit λ

S = 10% von Smax

Spectral range of sensitivity

S = 10% of Smax

Bestrahlungsempfindliche Fläche (∅ 240 µm) A

Radiant sensitive area (∅ 240 µm)

Abmessung der Chipfläche

Dimensions of chip area

L×B

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober- H

fläche

Distance chip front to case surface

Halbwinkel

ϕ

Half angle

Kapazität

Capacitance

VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0

Dunkelstrom

Dark current

VCE = 25 V, E = 0

Fotostrom

Photocurrent

Ee = 0.1 mW/cm2, VCE = 5 V

Anstiegszeit/Abfallzeit

Rise time/Fall time

IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitter saturation voltage

IC = 5 µA, Ee = 0.1 mW/cm2

CCE

ICEO

IPCE

tr, tf

VCEsat

Wert

Value

860

380 ... 1150

0.045

0.45 × 0.45

0.5 ... 0.7

± 60

5.0

1 (≤ 200)

≥ 16

7

150

Einheit

Unit

nm

nm

mm2

mm × mm

mm

Grad

degr.

pF

nA

µA

µs

mV

Semiconductor Group

4

1997-11-01

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