Q62703-Q4755 View Datasheet(PDF) - Infineon Technologies
Part Name
Description
Manufacturer
Q62703-Q4755 Datasheet PDF : 6 Pages
| |||
GaAlAs-Lumineszenzdiode
GaAlAs Infrared Emitter
SFH 483
Wesentliche Merkmale
• Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
• Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
• Hohe Zuverlässigkeit
• Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
• Hermetisch dichtes Metallgehäuse
• Gehäusegleich mit BPX 63, BP 103, LD 242,
SFH 464
Anwendungen
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• IR-Gerätefernsteuerungen
• Sensorik
• Lichtgitter
Features
• Fabricated in a liquid phase epitaxy process
• Anode is electrically connected to the case
• High reliability
• Matches all Si-Photodetectors
• Hermetically sealed package
• Same package as BPX 63, BP 103, LD 242,
SFH 464
Applications
• Photointerrupters
• IR remote control of various equipmet
• Sensor technology
• Light-grille barrier
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 483 L/M E7800 Q62703-Q4755
Gehäuse
Package
18 A3 DIN 41870 (TO-18), Bodenplatte, klares
Epoxy-Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’)
18 A3 DIN 41876 (TO -18), clear epoxy resin, lead spacing
2.54 mm (1/10’’)
2001-02-22
1
Share Link: 