2N6730 View Datasheet(PDF) - NTE Electronics

Part Name

Description

Manufacturer

2N6730

Silicon PNP Transistor General Purpose Power Amp, Switch TO−237 Type Package

NTE Electronics 

2N6728 & 2N6730

Silicon PNP Transistor

General Purpose Power Amp, Switch

TO−237 Type Package

Description:

The 2N6728 and 2N6730 are silicon NPN power transistors in a TO−237 type package designed for

general purpose power amplifier and switching applications.

Absolute Maximum Ratings: (TA = +25C unless otherwise specified)

Collector−Base Voltage, VCBO

2N6728 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

2N6730 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Collector−Emitter Voltage, VCEO

2N6728 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

2N6730 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Continuous Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA

Power Dissipation, PD

TA = +25C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W

TC = +25C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W

Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65 to +150C

Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65 to +150C

Thermal Resistance, Junction−to−Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125C/W

Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.5C/W

Electrical Characteristics: (TA = +25C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Condition

Collector−Base Breakdown Voltage

2N6728

V(BR)CBO IC = 0.1mA

2N6730

Collector−Emitter Breakdown Voltage

2N6728

V(BR)CEO IC = 1mA

2N6730

Emitter−Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

V(BR)EBO

ICBO

IEBO

IE = 0.1mA

VCB = Rated VCBO

VEB = Rated VEBO

Min Typ Max Unit

60 − − V

100 − − V

60 − − V

100 − − V

5 − −V

− − 0.1 A

− − 10 A

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