MBR16100 View Datasheet(PDF) - Yangzhou yangjie electronic co., Ltd

Part Name

Description

Manufacturer

MBR16100

SCHOTTKY Diodes

Yangzhou yangjie electronic co., Ltd 

MBR16100 THRU MBR16200

肖特基二极管SCHOTTKY Diodes

RoHS

COMPLIANT

■特征 Features

■外形尺寸和印记 Outline Dimensions and Mark

● 耐正向浪涌电流能力高

High surge forward current capability

TO-220AC

● 低功耗，大电流

Low Power loss, High efficiency

.429(10.9)

MAX

.17(4.31)

.131(3.34)

DIA

.055(1.40)

.045(1.14)

.200(5.10)

.159(4.04)

● Io

● VRRM

16.0A

100-200V

■用途 Applications

● 快速整流用

High speed switching

.129(3.27)

.087(2.22)

.176(4.46)

.124(3.16)

.037(0.94)

.027(0.68)

.22(5.60)

.179(4.55)

.61(15.5)

.571(14.5)

PIN1 2

.576(14.62)

.514(13.06)

PIN1

.126(3.19)

.084(2.14)

.025(0.64)

.011(0.28)

■极限值（绝对最大额定值）

PIN2

CASE

Dimensions in inches and (millimeters)

Limiting Values（Absolute Maximum Rating）

参数名称

符号 单位 条件

MBR

Item

反向重复峰值电压

Repetitive Peak Reverse Voltage

Symbol

VRRM

平均整流输出电流

Average Rectified Output Current

Io

正向（不重复）浪涌电流

Surge(Non-repetitive)Forward Current

IFSM

Unit Conditions

V

正弦半波 60Hz，电阻负载，Tc(Fig.1)

A 60HZ Half-sine wave, Resistance load,

Tc(Fig.1)

A

60HZ正弦波，一个周期，Ta=25℃

60HZ sine wave, 1 cycle, Ta=25℃

16100

100

16150

150

16

250

正向浪涌电流的平方对电流浪涌持

续

I2t

A2s

1ms ≤ t ＜ 8.3ms

极管

Tj=25 ℃ , 单 个 二

时间的积分值

Current Squared Time

1ms≤t＜8.3ms Tj=25℃,Rating

of per diode

贮存温度

Storage Temperature

Tstg

℃

261

-55 ~ +150

结温

Junction Temperature

Tj

℃ 在正向直流条件下，没有施加反向压

降，通电≤1h（图示1）①

IN DC Forward Mode-Forward

Operations，without reverse bias, t

≤1 h (Fig. 1)①

-55 ~ +150

■电特性 （Ta=25℃ 除非另有规定）

Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified）

参数名称

Item

符号 单位

Symbol Unit

测试条件

Test Condition

正向峰值电压

Peak Forward Voltage

反向峰值电流

Peak Reverse Current

VFM

IRRM1

IRRM2

V

I FM =16.0A

mA

VRM =VRRM

Ta=25℃

Ta=100℃

16100

0.85

最大值

Max

MBR

16150

0.9

0.05

1

热阻

Thermal Resistance

RθJ-C

℃/W

结和壳之间

Between junction and case

2.0

■ 备注 NOTE

①Meets the requirements of IEC 61215 Ed. 2 bypass diode thermal test.

16200

200

16200

0.95.

S-B152

Rev.1.1, 29-Nov-14

扬州扬杰电子科技股份有限公司

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

www.21yangjie.com

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