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BYG10J View Datasheet(PDF) - Diotec Semiconductor Germany

Part Name
Description
Manufacturer
BYG10J
Diotec
Diotec Semiconductor Germany  Diotec
BYG10J Datasheet PDF : 2 Pages
1 2
BYG10D ... BYG10Y
BYG10D ... BYG10Y
Standard Avalanche SMD Rectifier Diodes
Standard Avalanche SMD-Gleichrichterdioden
IFAV = 1.5 A
VF < 1.15 V
trr < 1500 ns
VRRM = 200...1600 V
IFSM = 27/30 A
ERSM = 20 mJ
Version 2020-07-20
SMA
~ DO-214AC
5± 0.2
1.1± 0.3
0.15+ 0.1
Typical Applications
50/60 Hz Mains Rectification,
Power Supplies, Polarity Protection
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1)
Typische Anwendungen
50/60 Hz Netzgleichrichtung,
Stromversorgungen, Verpolschutz
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)
Features
Controlled avalanche characteristic
High average forward current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Controlled Avalanche Charakteristik
Hoher Dauergrenzstrom
RoHS
Pb
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Type
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
Typ
Taped and reeled
7500 / 13“
Gegurtet auf Rolle
4.5+_00..3505
Weight approx.
Case material
0.07 g
UL 94V-0
Gewicht ca.
Gehäusematerial
Dimensions - Maße [mm]
Solder & assembly conditions
260°C/10s
MSL = 1
Löt- und Einbaubedingungen
Maximum ratings 2)
Type
Typ
DC blocking voltage
Sperrgleichspannung
VDC [V] 3)
BYG10D
BYG10G
BYG10J/-AQ
480
BYG10K
BYG10M/-AQ
800
BYG10Y 5)
Grenzwerte2)
Repetitive peak reverse voltage Reverse avalanche breakdown voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Sperrspannung im Durchbruch
VRRM [V]
VRSM [V] 4)
200
> 250
400
> 450
600
> 650
800
> 850
1000
> 1050
1600
> 1650
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Rating for fusing
Grenzlastintegral
Non-repetitive peak reverse avalanche energy
Einmalige Avalanche-Energie in Sperr-Richtung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TT = 100°C
IFAV
1.5 A
f > 15 Hz
TT = 100°C
IFRM
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
IFSM
t < 10 ms
i2t
5A
27 A
30 A
3.6 A2s
ERSM
20 mJ 4)
Tj -50...+150°C
TS -50...+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Defined for -AQ parts only – Nur definiert für -AQ Bauteile
4 IRSM = 1 A, inductive load switch-off – IRSM = 1 A, Abschalten induktiver Last
5 Under development – In Entwicklung
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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