TMG16D80J Просмотр технического описания (PDF) - SanRex Corporation
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TMG16D80J Datasheet PDF : 2 Pages
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TMG16D80J
Gate Characteristics
100
１０
VGM（10V）
PGM（5W）
１
25℃
III+--GGGTTT131
PG（AV（） 0.5W）
０．１
１
VG（D 0.2V）
１０
100
1000
Gate Curren（t mA）
10000
RMS On-State vs
Maximum Power Dissipation
２０
１８
１６
１４
０ π θ 2π
θ
３６０゜
θ：Conduction Angle
１２
１０
８
６
４
２
０
０ ２ ４ ６ ８ １０ １２ １４
RMS On-State Curren（t A）
θ＝１８０゜
θ＝１５０゜
θ＝１２０゜
θ＝９０゜
θ＝６０゜
θ＝３０゜
１６ １８
Surge On-State Current Rating
（Non-Repetitive）
１８０
１６０
１４０
１２０
１００
60HZ
８０
50HZ
６０
４０
20
０
１
１０
１０0
Time（Cycles）
IGT −T（j Typical）
１０００
５００
２００
１００
５０
２０
１０
−５０
I＋GT１（1＋）
I−GT１（1−）
I−GT３（3−）
０
５０
１００
Junction Temp. T（j ℃）
１５０
On-State Characteristics（MAX）
２００
１００
５０
２０
１０
５
２
１
０．５
Ｔｊ=２５℃
Ｔｊ=１２５℃
０．２
０．５
１．０
１．５
２．０ ２．５
３．０
３．５
On-State Voltage（V）
RMS On-State vs
Allowable Case Temperature
１２５
１２０
１１５
１１０
１０５
１００
９５
θ
π
０
2π
θ
９０
３６０゜
θ：Conduction Angle
８５
０ ２ ４ ６ ８ １０ １２ １４
RMS On-State Curren（t A）
θ＝30゜
θ＝60゜
θ＝90゜
θ＝120゜
θ＝150゜
θ＝180゜
１６
Transient Thermal Impedance
１０
１
0.１
０.０１
０.１
１
10
Time（Sec.）
VGT −T（j Typical）
１０００
５００
２００
１００
５０
V−GT３（3−）
V＋GT１（1＋）
V−GT１（1−）
２０
１０
−５０
０
５０
１００
Junction Temp. T（j ℃）
100
１５０
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com
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