MIP2E4D Просмотр технического описания (PDF) - Panasonic Corporation

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MIP2E4D

IPD (Intelligent Power Devices) / MIP2E4DMY / TO-220-A2 Package

Panasonic Corporation 

MIP2E4DMY

I 電気的特性 TC = 25°C ± 2°C

項目

記号

コントロール機能

出力周波数

最大デューティサイクル

fOSC

MAXDC

PWM ゲイン *

GPWM

スロープ補償値 *

m

電源

起動前動作電流

動作時電流

起動時コントロール端子電圧

停止時コントロール端子電圧

起動/ 停止ヒステリシス電圧

間欠動作時間比

間欠動作周波数

コントロール端子充電電流

IC(SB)

IC(OP)

VC(ON)

VC(OFF)

∆VC

TSW / TTIM

fTIM

IC(CHG)

コントロール電圧

コントロール電圧ヒステリシス *

最小ドレイン電圧

保護機能

VC(CNT)

∆VC(CNT)

VD(MIN)

過電流保護検出

オン時ブランキング幅 *

過電流保護遅れ時間 *

過熱保護温度 *

ラッチリセット電圧 *

出力

ILIMIT

ton(BLK)

td(OCL)

TOTP

VC reset

ドレイン・ソース間オン抵抗

オフ時ドレイン端子リーク電流

ドレイン耐圧

立ち上がり時間

立ち下がり時間

チャネル・ケース間熱抵抗 *

チャネル・周囲間熱抵抗 *

RDS(ON)

IDSS

VDSS

tr

tf

Rth(ch-c)

Rth(ch-a)

注 ) * : 設計保証項目

条件

VC = VC(CNT) − 0.2 V

VC = VC(CNT) − 0.2 V

VC < VC(ON)

VC = VC(CNT) − 0.2 V

VC = 0 V

VC = 5 V

ID = 0.3 A

VDS = 650 V, VC = 6.5 V

ID = 0.25 mA, VC = 6.5 V

最小 標準 最大 単位

90 100 110 kHz

66 69 72

%

11

dB

60

mA/µs

0.05 0.30 0.6 mA

0.7 1.8 2.7 mA

5.1 6.0 6.6

V

4.1 5.0 5.5

V

0.5 1.0 1.5

V

2

%

0.5

Hz

−2.5 −1.9 −1.2 mA

−2.0 −1.2 − 0.5

5.7 6.2 6.6

V

10

mV

36

V

1.35 1.5 1.65

A

0.25

µs

0.1

µs

130 140

°C

2.3 3.3 4.2

V

5.8 6.7

Ω

10 250 µA

700

V

0.1

µs

0.1

µs

3.0

°C/W

70

°C/W

2

SLB00030BJD

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