Electronic component search and free download site.
Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
Номер в каталоге
Компоненты Описание
2SA1096 Просмотр технического описания (PDF) - Panasonic Corporation
Номер в каталоге
Компоненты Описание
производитель
2SA1096
Silicon PNP epitaxial planar type
Panasonic Corporation
2SA1096 Datasheet PDF : 4 Pages
1
2
3
4
2SA1096, 2SA1096A
P
C
T
a
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
40
80
120
160
Ambient temperature T
a
(
°
C)
I
C
V
CE
−
4
T
C
=
25
°
C
I
B
= −
50 mA
−
3
−
45 mA
−
40 mA
−
35 mA
−
2
−
30 mA
−
25 mA
−
20 mA
−
15 mA
−
1
−
10 mA
−
5 mA
0
0
−
2
−
4
−
6
−
8
−
10
−
12
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
V
CE(sat)
I
C
I
C
/ I
B
= 10
−
10
−
1
−
0.1
T
C
= 100
°
C
25
°
C
–25
°
C
−
0.01
−
0.01
−
0.1
–1
Collector current I
C
(A)
V
BE(sat)
I
C
I
C
/ I
B
= 10
−
10
−
1
−
0.1
T
C
= –25
°
C
100
°
C
25
°
C
−
0.01
−
0.01
−
0.1
–1
Collector current I
C
(A)
1 000
100
h
FE
I
C
V
CE
= –5 V
25
°
C
T
C
= 100
°
C
–25
°
C
10
1
−
0.01
−
0.1
−
1
Collector current I
C
(A)
f
T
I
E
240
V
CB
= –5 V
f = 200 MHz
T
C
= 25
°
C
200
160
120
80
40
0
0.01
0.1
1
10
Emitter current I
E
(mA)
C
ob
V
CB
240
I
E
= 0
f = 1 MHz
T
C
= 25
°
C
200
160
120
80
40
0
−
1
−
10
−
100
Collector-base voltage V
CB
(V)
−
100
−
80
V
CER
R
BE
I
C
= –10 mA
T
C
= 25
°
C
−
60
−
40
−
20
0
0.1
1
10
100
Base-emitter resistance R
BE
(k
Ω
)
I
CBO
T
a
10
4
V
CB
= –40 V
10
3
10
2
10
1
0
40
80 120 160
Ambient temperature T
a
(
°
C)
2
SJD00007BED
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]