XC6118N12AMR-G Просмотр технического описания (PDF) - TOREX SEMICONDUCTOR
Номер в каталоге
Компоненты Описание
производитель
XC6118N12AMR-G Datasheet PDF : 20 Pages
| |||
XC6118
Series
■VOLTAGE CHART
SYMBOL
PARAMETER
NOMINAL
VOLTAGE
VDF(T)
(V)
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
3.9
4.0
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
4.6
4.7
4.8
4.9
5.0
E-1
DETECT VOLTAGE (*1)
(V)
VDF
MIN.
MAX.
0.770
0.830
0.870
0.930
0.970
1.030
1.070
1.130
1.170
1.230
1.270
1.330
1.370
1.430
1.470
1.530
1.568
1.632
1.666
1.734
1.764
1.836
1.862
1.938
1.960
2.040
2.058
2.142
2.156
2.244
2.254
2.346
2.352
2.448
2.450
2.550
2.548
2.652
2.646
2.754
2.744
2.856
2.842
2.958
2.940
3.060
3.038
3.162
3.136
3.264
3.234
3.366
3.332
3.468
3.430
3.570
3.528
3.672
3.626
3.774
3.724
3.876
3.822
3.978
3.920
4.080
4.018
4.182
4.116
4.284
4.214
4.386
4.312
4.488
4.410
4.590
4.508
4.692
4.606
4.794
4.704
4.896
4.802
4.998
4.900
5.100
E-2
HYSTERESIS RANGE
(V)
VHYS
MIN.
MAX.
0.015
0.066
0.017
0.074
0.019
0.082
0.021
0.090
0.023
0.098
0.025
0.106
0.027
0.114
0.029
0.122
0.031
0.131
0.033
0.085
0.035
0.147
0.037
0.155
0.039
0.163
0.041
0.171
0.043
0.180
0.045
0.188
0.047
0.196
0.049
0.204
0.051
0.212
0.053
0.220
0.055
0.228
0.057
0.237
0.059
0.245
0.061
0.253
0.063
0.261
0.065
0.269
0.067
0.277
0.069
0.286
0.071
0.294
0.073
0.302
0.074
0.310
0.076
0.318
0.078
0.326
0.080
0.335
0.082
0.343
0.084
0.351
0.086
0.359
0.088
0.367
0.090
0.375
0.092
0.384
0.094
0.392
0.096
0.400
0.098
0.408
E-3
HYSTERESIS RANGE
(V)
MIN.
0
VHYS
MAX.
0.008
0.009
0.010
0.011
0.012
0.013
0.014
0.015
0.016
0.017
0.018
0.019
0.020
0.021
0.022
0.023
0.024
0.026
0.027
0.028
0.029
0.030
0.031
0.032
0.033
0.034
0.035
0.036
0.037
0.038
0.039
0.040
0.041
0.042
0.043
0.044
0.045
0.046
0.047
0.048
0.049
0.050
0.051
E-4
SENSE RESISTANCE
(MΩ)
RSEN
MIN.
TYP.
10
20
13
24
15
28
NOTE:
*1: When VDF(T)≦1.4V, the detection accuracy is ±30mV.
When VDF(T)≧1.5V, the detection accuracy is ±2%.
9/20
Share Link: 