2SC5198 Просмотр технического описания (PDF) - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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2SC5198

Silicon NPN Triple Diffused Transistor

JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 

R

2SC5198

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)

IC-VCE

Common emitter Tc = 25°C

Single pulse test

式市市市

hFE – IC

Tc=100

Tc=25

式市市

Collector-emitter voltage VCE (V)

VCE(sat)- IC

式小推

Common emitter

式小4

IC/IB = 10

式小性 Single pulse test

式小市

市小明

Tc=100

Tc=25

市小推

市小4

市小性

市小市

市小式

式

式市

式市市

Collector corrent IC (A)

Common emitter

VCE = 5 V Single pulse test

式市

市小市市式 市小市式

市小式

式

式市

式市市

Collector corrent IC (A)

VBE(sat)- IC

式市小市

式小市

市小式

市小式

Tc=25

Tc=100

Common emitter

IC/IB = 10

Single pulse test

式

式市

式市市

Collector corrent IC (A)

PC-TC

SOA

Infinite heat sink

Ambient temperature TC

201311C

TC=25 DC Operation

1ms

Single nonrepetitive pulse Tc = 25°C

Curves must be derated linear

with increase in temperature.

10ms

100ms

Collector-emitter voltage VCE (V)

3/5

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