Electronic component search and free download site.
Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
Номер в каталоге
Компоненты Описание
A900 Просмотр технического описания (PDF) - Panasonic Corporation
Номер в каталоге
Компоненты Описание
производитель
A900
Silicon PNP epitaxial planar type
Panasonic Corporation
A900 Datasheet PDF : 3 Pages
1
2
3
2SA0900
P
C
T
a
6
(1) With a 100
×
100
×
2 mm
Al heat sink
(2) Without heat sink
5
4
3
(1)
2
(2)
1
0
0
40
80
120
160
Ambient temperature T
a
(
°
C)
−
1.2
−
1.0
−
0.8
−
0.6
−
0.4
−
0.2
I
C
V
CE
T
C
=
25
°
C
I
B
= −
5.0 mA
−
4.5 mA
−
4.0 mA
−
3.5 mA
−
3.0 mA
−
2.5 mA
−
2.0 mA
−
1.5 mA
−
1.0 mA
−
0.5 mA
0
0
−
1
−
2
−
3
−
4
−
5
−
6
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
V
CE(sat)
I
C
I
C
/ I
B
=
20
−
10
−
1
−
0.1
T
C
=
100
°
C
25
°
C
−
25
°
C
−
0.01
−
0.01
−
0.1
−
1
Collector current I
C
(A)
V
BE(sat)
I
C
I
C
/ I
B
=
20
−
10
−
1
−
0.1
T
C
= −
25
°
C
100
°
C
25
°
C
−
0.01
−
0.01
−
0.1
−
1
Collector current I
C
(A)
1 000
100
h
FE
I
C
V
CE
= −
2 V
25
°
C
T
C
=
100
°
C
−
25
°
C
10
1
−
0.01
−
0.1
−
1
Collector current I
C
(A)
f
T
I
E
500
V
CB
= −
6 V
T
C
=
25
°
C
400
300
200
100
0
10
100
1 000
Emitter current I
E
(mA)
C
ob
V
CB
120
I
E
=
0
f
=
1 MHz
T
C
=
25
°
C
100
80
60
40
20
0
−
1
−
10
−
100
Collector-base voltage V
CB
(V)
Safe operation area
−
10
I
CP
−
1
I
C
Single pulse
T
C
=
25
°
C
t
=
10 ms
t
=
1s
−
0.1
−
0.01
−
0.001
−
0.1
−
1
−
10
−
100
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
2
SJD00004BED
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]