BTA06F-800C Просмотр технического описания (PDF) - DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD
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BTA06F-800C Datasheet PDF : 4 Pages
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●产品电性能
符号
IGT
VGT
VGD
IH
IL
dVD/dt
VTM
IDRM / IRRM
●热阻参数：
符号
Rth(j-c)
Rth(j-a)
●产品标识：
BTA06F TO-220F
参数
门极触发电流
门极触发电压
门极不触发电压
维持电流
擎住电流
断态电压临界上升率
通态压降
断态重复峰值电流
测试条件
数值
E
D
C
VD=12V,
Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ
≤5
≤10
≤25
RL=30Ω ,
Tj=25℃,
Ⅳ
≤10
≤25
≤50
Fig.6
Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ-Ⅳ
≤1.3
VD=VDRM,Tj=125℃
≥0.2
IT=100mA，Fig. 6
≤15
≤15
≤30
IG=1.2IGT,
Fig. 6
Ⅰ-Ⅲ-Ⅳ
Ⅱ
VD=67%VDRM,门极开路
Tj=125℃
ITM=8.5A,tp=380us,Fig.4
≤10
≤20
≤40
≤20
≤40
≤50
≥10
≥20
≥50
≤1.55
VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃
≤10
≤10
≤10
VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃
≤1
≤1
≤1
单位
mA
V
V
mA
mA
mA
V/us
V
uA
mA
参数
结到管壳的热阻（AC）
结到环境的热阻
TO-220F(Ins)
TO-220F(Ins)
数值
2.7
60
单位
℃/W
℃/W
BTA
双向可控硅
IT(RMS)=6A
TO-220F(Ins)
06 F -600
D
E:IGT1-3≤5mA,IGT4≤10mA
D:IGT1-3≤10mA,IGT4≤25mA
C:IGT1-3≤25mA,IGT4≤50mA
断态重复峰值电压
600:≥600V
800: ≥800V
www.yfwdiode.com
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Dongguan YFW Electronics Co, Ltd.
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