KOM2125FA 查看數據表（PDF） - Infineon Technologies
零件编号
产品描述 (功能)
生产厂家
KOM2125FA Datasheet PDF : 5 Pages
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Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation
KOM 2125, KOM 2125 FA
Symbol
Symbol
Top; Tstg
VR
Ptot
Wert
Value
– 40 … + 80
Einheit
Unit
°C
60
V
150
mW
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (TA = 25 °C)
Bezeichnung
Parameter
Fotostrom
Photocurrent
VR = 5 V, Normlicht/standard light A
T = 2856 K, Ev = 1000 Ix
VR = 5 V, λ = 870 nm,Ee = 1mW/cm2
Diode A
Diode B
Diode A
Diode B
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10% of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche Diode A
Radiant sensitive area
Diode B
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Vergußoberfläche
Distance chip front to case seal
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current
Diode A
Diode B
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
KOM 2125 KOM 2125 FA
IP
40 (> 30)
–
µA
100 (> 75) –
IP
–
–
26 (> 20)
µA
70 (> 50)
λS max 850
900
nm
λ
400 … 1100 750 ... 1100 nm
A
L×B
4
10
2 × 2, 2 × 5
4
10
2 × 2, 2 × 5
L×W
H
0.3
0.3
ϕ
± 60
± 60
IR
5 (≤ 30)
5 (≤ 30)
10 (≤ 30)
10 (≤ 30)
mm2
mm × mm
mm
Grad
deg.
nA
2000-10-30
2
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