Electronic component search and free download site.
Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
零件编号
产品描述 (功能)
2SB0931 查看數據表(PDF) - Panasonic Corporation
零件编号
产品描述 (功能)
生产厂家
2SB0931
Silicon PNP epitaxial planar type
Panasonic Corporation
2SB0931 Datasheet PDF : 4 Pages
1
2
3
4
2SB0931
40
(1)
30
P
C
T
a
(1)T
C
=
T
a
(2)With a 50 mm
×
50 mm
×
2 mm
Al heat sink
(3)Without heat sink
(P
C
=
1.3 W)
20
10
(2)
(3)
0
0
40
80
120
160
Ambient temperature T
a
(
°
C)
V
BE(sat)
I
C
−
100
I
C
/ I
B
=
20
−
10
−
1
−
0.1
T
C
= −
100
°
C
−
25
°
C
25
°
C
I
C
V
CE
−
6
T
C
=
25
°
C
−
5
I
B
= −
100 mA
−
4
−
80 mA
−
60 mA
−
3
−
40 mA
−
30 mA
−
2
−
20 mA
−
16 mA
−
1
−
12 mA
−
8 mA
−
4 mA
0
0
−
2
−
4
−
6
−
8
−
10
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
V
CE(sat)
I
C
−
100
I
C
/ I
B
=
20
−
10
−
1
−
0.1
T
C
=
100
°
C
−
25
°
C
25
°
C
−
0.01
−
0.01
−
0.1
−
1
−
10
Collector current I
C
(A)
h
FE
I
C
f
T
I
C
10
4
V
CE
= −
2 V
10
4
V
CE
= −
10 V
f
=
10 MHz
T
C
=
25
°
C
10
3
10
3
T
C
=
100
°
C
25
°
C
10
2
10
2
−
25
°
C
10
10
−
0.01
−
0.01
−
0.1
−
1
−
10
Collector current I
C
(A)
1
−
0.01
−
0.1
−
1
−
10
Collector current I
C
(A)
1
−
0.01
−
0.1
−
1
−
10
Collector current I
C
(A)
C
ob
V
CB
10
4
I
E
=
0
f
=
1 MHz
T
C
=
25
°
C
10
3
10
2
10
t
on
, t
stg
, t
f
I
C
100
Pulsed t
w
=
1 ms
Duty cycle
=
1%
I
C
/ I
B
=
10
(
−
I
B1
=
I
B2
)
10
V
CC
= −
50 V
T
a
=
25
°
C
1
t
stg
t
on
0.1
t
f
Safe operation area
−
100
Non repetitive pulse
T
C
=
25
°
C
−
10
I
CP
I
C
t
=
10 ms
−
1
t
=
300 ms
−
0.1
t
=
0.5 ms
t
=
1 ms
1
−
0.1
−
1
−
10
−
100
Collector-base voltage V
CB
(V)
0.01
0
−
0.8
−
1.6
−
2.4
−
3.2
Collector current I
C
(A)
−
0.01
−
1
−
10
−
100
−
1 000
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
2
SJD00013BED
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]