BPX82 查看數據表（PDF） - OSRAM GmbH

零件编号

产品描述 (功能)

生产厂家

BPX82

Silicon NPN Phototransistor Arrays

OSRAM GmbH 

Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)

Characteristics

Bezeichnung

Parameter

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

Wavelength of max. sensitivity

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10% von Smax

Spectral range of sensitivity

S = 10% of Smax

Bestrahlungsempfindliche Fläche

Radiant sensitive area

Abmessung der Chipfläche

Dimensions of chip area

Halbwinkel

Half angle

Kapazität

Capacitance

VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0

Dunkelstrom

Dark current

VCE = 20 V, E = 0

Symbol

Symbol

λS max

λ

A

L×B

L×W

ϕ

CCE

ICEO

BPX 80, BPX 82 … 89

Wert

Value

850

450 … 1100

Einheit

Unit

nm

nm

0.11

0.5 × 0.5

± 18

7.5

1 (≤ 50)

mm2

mm × mm

Grad

deg.

pF

nA

2007-04-04

3

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