BSP129(2003) 查看數據表（PDF） - Infineon Technologies

零件编号

产品描述 (功能)

生产厂家

BSP129
(Rev.:2003)

SIPMOS® Small-Signal-Transistor

Infineon Technologies 

14 Typ. gate charge

V GS=f(Q gate); I D=0.2 A pulsed

parameter: V DD

6

5

4

3

0.2 VDS(max)

2

1

0

-1

-2

-3

-4

0

1

2

Q gate [nC]

15 Drain-source breakdown voltage

V BR(DSS)=f(T j); I D=250 µA

BSP129

0.5 VDS(max)

280

0.8 VDS(max)

260

240

220

200

3

4

-60 -20

20

60 100 140 180

T j [°C]

Rev. 1.0

page 7

2003-03-28

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